教員詳細情報

研究分野・キーワード

• 半導体デバイス、パワーエレクトロニクス、ダイヤモンド、ワイドギャップ半導体

学歴

• 1985年03月, 京都大学, 工学部, 電気工学科, 卒業
• 1990年03月, 京都大学, 工学研究科, 電気工学, 博士課程・博士後期課程, 単位取得満期退学

職歴

• 1990年04月 - 2000年09月 日本電信電話株式会社　基礎研究所 研究員
• 2000年10月 - 2011年09月 日本電信電話株式会社　物性科学基礎研究所 主幹研究員
• 2001年01月 - 2001年12月 立命館大学　理工学部　電子光情報工学科 非常勤講師
• 2002年07月 - 2003年07月 ドイツ・ウルム大学　電子デバイス回路学科 客員研究員
• 2003年01月 - 2003年12月 東京理科大学　基礎工学部　材料工学専攻 非常勤講師
• 2003年01月 - 2003年12月 東京大学　大学院　工学研究科　応用化学工学専攻 非常勤講師
• 2005年04月 - 2007年03月 日本電信電話株式会社　物性科学基礎研究所 特別研究員
• 2007年02月 - 2007年03月 パリ大学　（第１３）工学部　材料工学専攻 招聘教授
• 2007年07月 - 2011年01月 日本電信電話株式会社　物性科学基礎研究所　薄膜材料研究グループ リーダー
• 2010年04月 - 2012年03月 早稲田大学基幹理工学部電子光システム学科 非常勤講師
• 2011年03月 - 2011年03月 筑波大学大学院 数理物質科学研究科 大学等非常勤研究員
• 2011年10月 - 継続中 佐賀大学大学院工学系研究科電気電子工学講座 教授
• 2013年04月 - 2014年03月 佐賀大学 電気電子工学専攻長
• 2013年04月 - 2014年03月 佐賀大学 電気電子工学学科主任
• 2015年04月 - 2017年03月 宇宙航空研究開発機構 客員教授
• 2016年05月 - 2020年03月 産業技術総合研究所 クロスアポイントメントフェロー
• 2019年04月 - 継続中 佐賀大学海洋エネルギー研究センター 教授
• 2019年04月 - 継続中 佐賀大学理工学部理工学科 電子デバイスコース主任

専門分野

• 電子デバイス・電子機器, 電子・電気材料工学, 結晶工学, 薄膜・表面界面物性

所属学会

• 応用物理学会, 表面真空学会, 電子情報通信学会, 結晶成長学会

受賞歴

• NTT物性研所長表彰業績賞 （2001年02月）
• 電子材料シンポジウム（ＥＭＳ）アワード （2001年07月）
• NTT先端総研所長表彰業績賞 （2003年02月）
• NTT物性研所長表彰業績賞 （2004年02月）
• NTT先端総研所長表彰報道特別賞 （2004年02月）
• NTT先端総研所長報道特別賞 （2005年02月）
• NTT物性研所長表彰業績賞 （2005年02月）
• NTT技術誌Technical　Review論文賞 （2007年02月）
• 日本結晶成長学会　論文賞 （2010年07月）
• 表面科学会フェロー （2016年05月）
• 応用物理学会フェロー （2016年09月）
• APEX JJAP 編集貢献賞 （2020年03月）

現在実施している研究テーマ

• ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用
• ダイヤモンド表面の超高濃度キャリア生成機構の統一的解明と次世代デバイスへの展開

主要業績

• AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs 2023年10月
• 1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio 2023年09月
• Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes 2023年09月
• Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs 2023年06月
• The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure 2023年03月
• Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs 2023年03月
• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－ 2023年03月
• Present status of Diamond Semiconductors 2023年03月
• 未来型ダイヤモンド半導体の実用化に向けて―佐大から宇宙へ― 2023年03月
• ダイヤモンドMOSFET の高速(<10ns)スイッチング特性 2023年03月
• ダイヤモンドMOSFET の長時間(190h)ストレス測定 2023年03月
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器のα線特性 2023年03月
• 高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX 線トポグラフィーによるHVPE (001)型酸化ガリウムSBD のリーク電流の起源になるキラー欠陥の同定 2023年03月
• (011)面方位 HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定 2023年03月
• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－ 2023年03月
• パワー半導体に向けたダイヤモンドFETとインチ径ダイヤウェハの最近の進展 2023年03月
• ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング動作 2023年03月
• ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス特性 2023年03月
• 3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates 2023年01月
• ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化 2023年01月
• Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2022年12月
• High Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography 2022年12月
• Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown -Ga2O3 crystals 2022年12月
• 875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET 2022年12月
• Growth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates 2022年12月
• 3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs 2022年12月
• Initial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate 2022年12月
• Identification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2022年12月
• 3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates 2022年11月
• Growth process of high-quality 2-in-diameter CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate 2022年11月
• Recent progress of NO2 p-type doped diamond MOSFET and heteroepitaxial diamond wafer technologies 2022年11月
• Defects responsible for leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2022年11月
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022年10月
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程の観察－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022年10月
• Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography 2022年10月
• High Quality Vertical Bridgman and Edge-Defined Film-Fed Growth β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-Ray Diffraction and Synchrotron X-Ray Topography 2022年10月
• Crystal Defects and Lattice Constants of High-Quality β-Ga2O3 Edge-Defined Film-Fed Grown Single Crystals Studied by Synchrotron X-ray Topography and High-Resolution X-Ray Diffractions 2022年10月
• Diamond Semiconductor; Inch‐Wafer Growth and Power FET Technologies 2022年09月
• 傾斜サファイア基板上に成長したダイヤモンドウェハの高品質化 2022年09月
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製 2022年09月
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022年09月
• B イオン注入のみで作製した ダイヤモンドショットキーバリアダイオード 2022年09月
• 3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET 2022年09月
• ダイヤモンドパワー半導体デバイス 2022年09月
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課 2022年09月
• High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping 2022年09月
• 875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs 2022年09月
• Growth mechanism of high-quality inch-diameter diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates 2022年09月
• 3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer 2022年09月
• Two-inch diamond wafer with high FOM for use in MOSFET 2022年08月
• 究極のパワー半導体『ダイヤモンド』 2022年08月
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題 2022年07月
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題 2022年06月
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET 2022年06月
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs 2022年06月
• Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs 2022年05月
• 垂直 VB 成長と EFG 成長(001) β-Ga2O3 結晶の X 線トポグラフィー観察 2022年03月
• N フリーヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長 2022年03月
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ー研磨による表面キズ 2022年03月
• 精密 X 線回折法による高品質 EFG β-Ga2O3単結晶の格子定数の決定 2022年03月
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V 選択ドーピダイヤモンドMOSFET 2022年03月
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2 ドープダイヤモンドMOSFET 2022年03月
• 究極の半導体 ダイヤモンドの大口径ウェハとパワーデバイスの最近の進展 2022年03月
• Misorientation Angle of Heteroepitaxial Diamond on Sapphire Misoriented Substrate 2022年03月
• ダイヤモンド半導体 2022年02月
• ステップフローを用いたダイヤモンド2インチ径ヘテロウェハ成長と選択ドーピングしたダイヤモンドFETの開発 2022年01月
• ダイヤモンドヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドＦＥＴへの応用 2022年01月
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2022年01月
• ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製 2021年12月
• High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth 2021年12月
• HVPE成長-Ga2O3 SBDのキラー欠陥のエミッション顕微鏡とシンクロトロン X 線トポグラフィーによる観察 2021年12月
• Diamond Field-Effect Transistors with Modulation Doping 2021年12月
• Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 2021年12月
• Two-inch high-quality (001) diamond heteroepitaxial growth on sapphire (112 ̅0) misoriented substrate by step-flow mode 2021年12月
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2021年12月
• ダイヤモンド半導体の最近の進展大口径ヘテロエピタキシャル成長とパワー半導体デバイスの開発 2021年11月
• マイクロ波帯ハイパワーアンプ応用を目指したダイヤモンドトランジスタの研究 2021年11月
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展 2021年11月
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす 2021年11月
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展 2021年11月
• サファイア基板上大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長機構 2021年10月
• ステップフロー成長を用いたサファイア基板上大口径・高品質ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 2021年10月
• 高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィーによるHVPE(001)β型酸化ガリウムSBDのキラー欠陥の同定 2021年10月
• ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展 2021年10月
• ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展 2021年10月
• 影が太陽光モジュールの発電量に与える影響のメカニズム 2021年09月
• 緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価 2021年09月
• サファイア基板に大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構 2021年09月
• ステップフロー成長を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化 2021年09月
• 高分解能X線回折法によるVB成長β型酸化ガリウムの結晶品質の評価 2021年09月
• イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード 2021年09月
• 選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ 2021年09月
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ープローブによる欠陥 2021年09月
• Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer 2021年09月
• Initial Growth Mechanism of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layers on Sapphire and MgO Substrates 2021年09月
• Schottky barrier diodes fabricated on high-purity type-IIa CVD diamond substrates using an all-ion-implantation process 2021年04月
• Stacking faults: Origin of leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2021年04月
• 345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond 2021年04月
• Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer 2021年04月
• MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構 2021年03月
• サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド 2021年03月
• 2608 V Operation of NO2-Doped p-channel Diamond MOSFETs 2021年03月
• Observation of Nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond Interfaces Using Synchrotron X-ray Photoemission Spectroscopy 2021年03月
• 顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価 2021年03月
• Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope 2021年03月
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥 2021年03月
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥 2021年03月
• ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価 2021年03月
• ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展 2021年01月
• Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 2021年01月
• Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2021年01月
• 放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察 2020年12月
• Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation 2020年11月
• High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates 2020年11月
• Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate 2020年11月
• Observation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy 2020年10月
• Growth of high-quality one-inch freestanding heteroepitaxial (001) diamond on (110) sapphire substrate 2020年10月
• サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長したダイヤモンドの核形成の観察 2020年09月
• 高品質VB成長β型酸化ガリウムバルク結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2020年09月
• HVPE成長β型酸化ガリウムエピ層中の積層欠陥の観察 2020年09月
• 超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定 2020年09月
• 145-MW/cm2 NO2-Doped Diamond MOSFETs 2020年09月
• 145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer 2020年08月
• Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy 2020年08月
• Temperature coefficient of the characteristic values of the charge-accumulation-type potential-induced-degraded n-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell 2020年04月
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察 2020年03月
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作 2020年03月
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構 2020年03月
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 2020年03月
• Fabrication of diamond/Cu direct bonding interface for power device applications 2020年01月
• Characteristics change in organic photovoltaics by thermal recovery and photodegradation 2020年01月
• Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management 2020年01月
• パワー半導体デバイス応用を目指したダイヤモンド，酸化ガリウムのシンクロトロンX 線トポグラフィー観察 2020年01月
• Diamond Semiconductor Technologies towards RF Power Applications 2019年11月
• 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製 2019年09月
• GaAs/Diamond直接接合の界面評価 2019年09月
• RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds, 2019年09月
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds 2019年09月
• Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes 2019年08月
• Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal 2019年08月
• Heterointerfacial electronic properties and energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface using XPS/XANES measurements 2019年05月
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds 2019年05月
• β-Ga2O3単結晶中の欠陥と電気的特性の相関 2019年05月
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係 2019年05月
• “Investigation of the power generation of organic photovoltaic modules connected to the power grid for more than three years 2019年04月
• Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography 2019年04月
• β-Ga2O3結晶中の欠陥とデバイス特性との関係 2019年04月
• Temperature dependence of potential-induced degraded p-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell characteristics 2019年04月
• Output power behavior of passivated emitter and rear cell photovoltaic modules during early installation stage: influence of light-induced degradation 2019年04月
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作 2019年03月
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構 2019年03月
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察 2019年03月
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 2019年03月
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy 2019年03月
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討 2019年03月
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 2019年03月
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性 2019年03月
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 2019年03月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察 2019年03月
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係 2019年03月
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy 2019年03月
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討 2019年03月
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 2019年03月
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性 2019年03月
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 2019年03月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察 2019年03月
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係 2019年03月
• Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy 2019年02月
• Stability of diamond Si bonding interface during device fabrication process 2019年01月
• Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements 2019年01月
• Improvement of the Al2O3NO2H-diamond MOS FET by using Au gate 2019年01月
• エレクトロニクス材料としてのダイヤモンド：エネルギー問題の解決を目指して 2018年11月
• Recent progress of diamond field-effect transistor technologies 2018年11月
• Crystal defects which relate with leakage current of HVPE (001) b-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2018年11月
• The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements 2018年11月
• Diamond field-effect transistors for RF power applications 2018年10月
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係 2018年10月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるCVDダイヤモンドホモエピ膜の欠陥の観察 2018年09月
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価 2018年09月
• Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 2018年09月
• DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析 2018年09月
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットの観察 2018年09月
• Diamond field-effect transistors fabricated on high-quality heteroepitaxial diamond wafers treated by chemical mechanical polishing technology 2018年09月
• Energy band alignment of Al2O3/NO/H-diamond and Al2O3/SO2/H-diamond heterointerfaces determined by synchrotron XPS/UPS/XANES measurements 2018年09月
• Improvement of performance of NO2-doped H-diamond FET by using Au gate metal 2018年09月
• Temperature dependence measurements and performance analyses of high-efficiency interdigitated back-contact, passivated emitter and rear cell, and silicon heterojunction photovoltaic modules 2018年08月
• Dislocations in chemical vapor deposition (111) single crystal diamond observed by synchrotron X-ray topography and their relation with etch pits 2018年04月
• Band Alignment of Al2O3 Layer Deposited NO and SO2 2018年04月
• Reduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by confinement in the lateral sector 2018年03月
• ダイヤモンド基板のCMP処理によるエピタキシャル膜の高品質化 2018年03月
• シンクロトロンX線セクショントポグラフィーによる低転位密度の高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察 2018年03月
• シンクロトロンX線光電子分光法によるAl2O3/NO/Hダイヤモンドヘテロ界面のエネルギーバンドアライメントの測定 2018年03月
• マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET 2018年03月
• Al2O3/NO2ホールドープダイヤモンドMOS構造のC-V測定におけるゲート金属の影響 2018年03月
• 高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路 2018年03月
• バックコンタクト型太陽電池，PERC型太陽電池，シリコンヘテロ接合型太陽電池モジュールの温度特性測定 2018年03月
• HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング 2018年03月
• HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長 2018年03月
• The combination of Diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 2018年03月
• Interpolation Method for Missing Data of Measurement in Mega Solar Power Plant Using Wavelet Transforms 2017年11月
• Subsecond interval measurements of outdoor operated mega solar power plant 2017年11月
• Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect – 2017年09月
• Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価 2017年09月
• NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討 2017年09月
• 2017年09月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるEFG成長β-Ga2O3単結晶中の欠陥の観察 2017年09月
• 低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子 2017年09月
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3 2017年09月
• en-Millisecond Interval Measurements of Generated Power, Irradiance and Weather at Mega Solar Power Plant 2017年06月
• High-Speed Measurements of Generated Power and its Relationship to Weather Observations at Yoshinogari Mega Solar Power Plant 2017年06月
• Dependence of String Power on its Height in the Array in Yoshinogari Mega Solar Power Plant 2017年06月
• Temperature Dependence and Performance Analysis of Photovoltaic Modules 2017年06月
• Continuous operation (14 h) and stress tests for H-diamond field-effect transistors 2017年05月
• 2017年05月
• Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface 2017年05月
• Epitaxial growth of γ-(Alx Ga1-x )O3 alloy films for band-gap engineering 2017年05月
• Formation of stacking fault and dislocation behavior during the high temperature annealing of single-crystal HPHT diamond 2017年04月
• Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects 2017年04月
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3 2017年04月
• 吉野ヶ里メガソーラーにおける高速測定システムの構築 2017年03月
• ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOS FETの連続動作 2017年03月
• ダイヤモンド素子を用いた高耐圧レクテナ回路の作製 2017年03月
• (2 ̅01) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2017年03月
• (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2017年03月
• Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation 2017年01月
• Diamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna 2017年01月
• Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2016年12月
• Structural evaluation of defects in β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process 2016年12月
• Origins of etch-pits in (010) β-Ga2O3 single crystals 2016年12月
• Recent Progress of Diamond Devices for RF Applications 2016年10月
• 高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消滅 2016年09月
• イヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討 2016年09月
• 酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作 2016年09月
• β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2016年09月
• β-Ga2O3 (010)単結晶のエッチピットの構造 2016年09月
• abrication of Diamond Rectenna Devices for RF Power Transmission 2016年09月
• Disappearance of stacking faults in single crystal diamond by thermal annealing 2016年09月
• Real –Time Measurement of Hole Doping by NO2 and SO2 Molecular Adsorption on H-Terminated Diamond Surfaces 2016年09月
• Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer 2016年09月
• Determination of stacking faults in an (111) high pressure/high temperature (HP/HT) diamond single crystals with extremely low defect density via synchrotron X-ray topography 2016年09月
• Diamond epitaxy: basics and applications 2016年08月
• “Estimation method of solar cell temperature using meteorological data in mega solar power plant 2016年08月
• Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3 2016年08月
• Diamond Devices for RF Applications 2016年08月
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals 2016年04月
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes 2016年04月
• “Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer 2016年04月
• Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping 2016年03月
• Synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in HPHT diamond single crystal 2016年03月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成(110)ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の部分転位観察 2016年03月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成ダイヤモンド(111)単結晶の積層欠陥観察 2016年03月
• ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製 2016年03月
• -Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布 2016年03月
• 高濃度Snドープ-Ga2O3(-20 1)単結晶の温度特性の検討 2016年03月
• 高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案 2016年03月
• β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察 2016年03月
• β-Ga2O3成長結晶の(010)における溝型欠陥の観察 2016年03月
• ダイヤモンド表面のSO2ホールドーピングの実時間測定 2016年03月
• ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製 2016年03月
• Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers 2016年03月
• Study on Dislocations and Stacking faults and in High-Pressure High-Temperature Synthesized Type-IIa Diamond Single Crystals by Synchrotron X-ray Topography Observations 2016年03月
• Observation of Crystalline Pits in β-Ga2O3 As-Grown Single Crystals 2016年03月
• Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer 2016年02月
• Determination of the type of stacking faults in single-crystal high-purity diamond with a low dislocation density of < 50 cm−2 by synchrotron X-ray topography 2016年02月
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystalsUematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, and Makoto Kasu 2016年01月
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (2̅ 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes 2016年01月
• ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合 2016年
• ダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展 2015年12月
• NO2 分子吸着中における水素終端ダイヤモンド表面のホール濃度の測定 2015年12月
• b-Ga2O3ワイドギャップ半導体単結晶のエッチピットの構造 2015年12月
• Etch-Pit Observation of EFG-grown -Ga2O3 Single Crystals 2015年11月
• Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals 2015年11月
• Estimation Method of Solar Cell Temperature Using Meteorological Data in Mega Solar Power Plant, 2015年11月
• Estimation Method of Characteristic Parameters of Strings in Mega Solar Power Plant 2015年11月
• シンクロトロンX線トポグラフィー透過法によるHPHT単結晶ダイヤモンドの 転位の観察 2015年11月
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の放射光Ｘ線トポグラフィ観察 2015年11月
• EFG成長β- Ga2O3単結晶のエッチピットの観察 2015年10月
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド(110)単結晶の積層欠陥の評価 2015年10月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド 単結晶の転位の種類の同定 2015年10月
• Ultimate Wide-Gap Semiconductors:Diamond Power Devices and Aluminum Nitride Deep-Ultraviolet LEDs 2015年09月
• b-Ga2O3(01 ̅0)単結晶のエッチピット観察 2015年09月
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察 2015年09月
• Snドープb-Ga2O3(-2 0 1)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製 2015年09月
• NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製 2015年09月
• NO2 吸着ダイヤモンドFET のデバイスモデルの提案 2015年09月
• Diamond Transistors –Present Status and Future Prospects 2015年06月
• Synchrotron X-ray Topography Observation of (110) HPHT type-IIa Diamond Single Crystals 2015年05月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察 2015年03月
• メガソーラー測定データを用いた太陽電池セル温度の推定 2015年03月
• 太陽電池モジュールの半導体素子としての電気的特性解析 2015年03月
• 高移動度-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製 2015年03月
• High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact 2015年01月
• 資源問題と表面科学 2014年12月
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察による転位の同定 2014年12月
• Ni/Auを用いた����–Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作製 2014年12月
• ソーラーパネルのホットスポット観察と電流電圧特性 2014年12月
• Synchrotron X-ray topography of dislocations in high-pressure high-temperature-grown single-crystal diamond with low dislocation density 2014年11月
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014年11月
• Diamond MOS Interface Properties Studied by XPS/UPS/XANES and C-V Measurements 2014年11月
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の種類の同定 2014年11月
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014年10月
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014年10月
• ダイヤモンドパワートランジスタ研究開発の最近の進展 2014年09月
• Device Operation Analysis of Diamond MOSFET Obtained by Capacitance–Voltage Characteristics 2014年09月
• Dislocation Identification of HPHT Diamond Single Crystal Using Synchrotron Light • X-ray Topography Observation 2014年09月
• Synchrotron X-ray Topography Observation of CVD Diamond Single Crystal 2014年09月
• シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定 2014年09月
• (-201)及びB 面β-Ga2O3 単結晶のシンクロトロン単色X 線トポグラフィー観察 2014年09月
• ダイヤモンドMOSFETのゲート容量の周波数依存性 2014年09月
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014年08月
• ダイヤモンドパワーデバイス研究の現状 2014年05月
• ダイヤモンドパワー素子技術 2014年05月
• Electronic states of NO2-exposed H-terminated diamond/Al2O3 heterointerface studied by synchrotron radiation photoemission and X-ray absorption spectroscop 2014年04月
• シンクロトロン光・X線トポグラフィーを用いたダイヤモンド単結晶の転位の同定 2014年04月
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014年03月
• ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析 2014年03月
• β-Ga2O3単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析 2014年03月
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014年03月
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察 2014年03月
• NO2曝露・水素終端ダイヤモンド／Al2O3ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定 2014年03月
• シンクロトロン光・X線トポグラフィー観察を用いた高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の同定 2014年03月
• 高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製 2014年
• NO2吸着・水素終端ダイヤモンド／ALD成長Al2O3界面の放射光XPS/UPSによる電子状態評価 2013年11月
• β-Ga2O3のホール効果測定による電子濃度と移動度の解析 2013年11月
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察 2013年11月
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察 2013年11月
• SiC-MOSFETのスイッチング特性解析―SiCパワーMOSFETとの比較― 2013年11月
• Maximum hole concentration for Hydrogen-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by exposure to highly concentrated NO 2 2013年10月
• マイクロ波プラズマCVD成長ダイヤモンドを用いたパワー高周波FET 2013年10月
• ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィ評価、マイクロ波プラズマCVD成長と高圧高温合成の比較 2013年10月
• Carrier Gas Dependent Evaporation Energy of GaN Estimated from Spiral Growth Rates in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2013年09月
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶の放射光X線トポグラフィ観察 2013年07月
• ダイヤモンドデバイスのスマートフォン・タッチパネル向けデバイスへの応用の可能性 2013年04月
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察 2013年03月
• 極限遠紫外線LED研究開発 2013年02月
• Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule 2013年
• ダイヤモンド結晶成長：パワーデバイス応用への現状と課題 2012年12月
• ワイドギャップ半導体の創製と光電子デバイスへの応用 2012年12月
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー評価 2012年11月
• Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface 2012年10月
• Efficient structure for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency: A first-principles study of AlN/GaN superlattice 2012年10月
• Thermal stabilization of hole channel on H-terminated diamond surface by using atomic-layer-deposited AL 2O 3 overlayer and its electric properties 2012年10月
• Polarization property of deep-ultraviolet light emission from C-plane AlN/GaN short-period superlattices 2012年10月
• NO2及びO3吸着による水素終端ダイヤモンド表面での正孔生成 2012年10月
• 究極のパワー半導体ダイヤモンド 2012年10月
• 半導体気相成長での過飽和度とステップフロー・核形成 2012年09月
• Thermal Stabilization of H-Terminated Diamond Surface by Using Al2O3 Overlayer and its Stable and Improved Field-Effect Transistors 2012年09月
• Critical hole concentration for H-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by high-concentrated NO2 exposure 2012年09月
• 高濃度NO2ガスを用いた様々な面方位をもつ水素終端ダイヤモンド表面へのホールドーピング 2012年09月
• NO2吸着とAl2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFETのドレイン電流の増大 2012年09月
• ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発の現状 2012年08月
• 水素終端ダイヤモンド表面の正孔生成機構：吸着分子の特定と第一原理計算結果 2012年06月
• Single-crystalline nitride growth on diamond 2012年05月
• 「ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」 2012年05月
• Inorganic Molecular Hole Doping on H-terminated Diamond Surface; Critical Hole Concentration for Various Orientations and the First-Principle Calculations 2012年05月
• CVD 単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子、転位、不純物ドーピングの機構 2012年04月
• 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」 2012年03月
• Al2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFET 2012年03月
• NO2吸着水素終端ダイヤモンド表面の熱的安定化と高温域の電気的特性 2012年03月
• 気相成長表面における結晶成長機構 2012年01月
• “Thermal Stabilization of Hole Channel on H-Terminated Diamond Surface by Using Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Overlayer and its Electric Properties” 2012年
• Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate 2012年
• RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond 2012年
• Electronic properties of H-terminated diamond during NO2 and O3 adsorption and desorption 2012年
• Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3 Passivation 2012年
• Diamond Field-Effect Transistors with 1.3A/mm Drain Current Density by Al2O3 Passivation Layer 2012年
• 単結晶ダイヤモンドにおエピタキシャル成長したAlGaN/GaN　HEMTの高周波高出力動作 2011年12月
• 高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善 2011年12月
• Critical Hole Concentration of H-terminated Diamond and Hole Generation Model during NO2 and O3 adsorption 2011年12月
• ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用 2011年10月
• Diamond-based Electronic Device Technologies 2011年10月
• Electroluminescence and capacitance-voltage characteristics of singlecrystal n-type AlN (0001) /p-type diamond (111) heterojunction diodes 2011年
• Coherent coupling of a superconducting flux qubit to an electron spin ensemble in diamond 2011年
• Hexagonal AlN(0001) heteroepitaxial growth on cubic diamond (001) 2010年
• High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors 2010年
• Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas 2010年
• Supersaturation in nucleus and spiral growth in metal organic vapor phase epitaxy 2010年
• Sorption properties of NO2 gas and its strong influence on hole concentration of H-terminated diamond surfaces 2010年
• Heterostructure growth of a single-crystal hexagonal AlN (0001) layer on cubic diamond (111) surface 2010年
• Surface 210-nm light emission from AlN p-n junction light-emitting diode by A-plane growth orientation 2010年
• Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy 2010年
• Enhancement and stabilization of hole concentration of hydrogen-terminated diamond surface using ozone adsorbates 2010年
• Arsenic-doped n-type diamond grown by microwave-assisted plasma chemical vapor deposition 2010年
• ダイヤモンド半導体　２．デバイス 2009年
• 水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ 2009年
• Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD 2009年
• MOVPE growth of hexagonal aluminium nitride on cubic diamond 2009年
• Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors 2009年
• Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate 2009年
• Structural and electrical properties of hydrogen-terminated diamond field-effect transistor 2009年
• Identification of etch-pit crystallographic faces induced on diamond surface by H2/O2 etching plasma treatment 2009年
• Improvement of hydrogen-terminated diamond FETs in nitrogen dioxide atmosphere 2009年
• Origin of Schottky barrier modification by hydrogen on diamond 2009年
• Photoluminescence of highly excited AlN: biexcitons and exciton-exciton scattering 2009年
• Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy 2009年
• High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors 2008年07月
• Diamond RF FETs and other approaches to electronics 2008年07月
• Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond 2008年07月
• ダイヤモンド高周波デバイス 2008年
• Anisotropic in-plane strains in nonpolar AlN and AlGaN (11-20) films grown on SiC (11-20) substrates 2008年
• RF equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 2008年
• Origin of growth defects in CVD diamond epitaxial films 2008年
• High-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond 2008年
• Thick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles 2008年
• Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors 2008年
• High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements 2008年
• Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes 2008年
• High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes 2008年
• 第６節　ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題 2007年
• Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 2007年
• High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond 2007年
• Radiation and polarization properties of free-exciton emission from AlN (0001) surface 2007年
• Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0001) substrate 2007年
• Cathodoluminescence, photoluminescence, and reflectance study of an aluminum nitride layer grown on silicon carbide substrate 2007年
• Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications 2007年
• AlN light-emitting diodes 2006年
• High RF output power for H-terminated diamond FETs 2006年
• Temperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET 2006年
• High-pressure and high-temperature annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films 2006年
• Characterization of high-quality poly-crystalline diamond and its high FET performance 2006年
• Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz 2006年
• Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density 2006年
• An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres 2006年
• Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors 2006年
• Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates 2005年
• 2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs 2005年
• Field emission properties of heavily Si-doped AlN in triode-type display structure 2004年
• Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1) 2004年
• Influence of epitaxy on the surface conduction of diamond film 2004年
• Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs 2004年
• Properties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor 2004年
• High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80% 2003年
• Triode-type basic display structure using Si-doped AlN field emitters 2003年
• Formation of stacking faults containing microtwins in (111) chemical-vapor-deposited diamond homoepitaxial layers 2003年
• High mobility and high crystalline-quality chemical-vapor-deposition grown homoepitaxial diamond 2003年
• Reduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin SixAl1-xN interlayers 2003年
• 微傾斜面とエピタキシー 2002年
• Intentional control of n-type conduction for Si-deoped AlN and AlxGa1-xN (0.42
• Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content 2002年
• High hole mobility (1300cm2/Vs) at room temperature in hydrogen-terminated (001) diamond 2002年
• Spontaneous ridge-structure formation and large field emission of heavily Si-doped AlN 2001年
• Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38
• Lattice parameters of wurtzite Al1-xSixN ternary alloy 2001年
• Formation of solid solution of Al1-xSixN (0
• Spontaneous ridge formation and its effect on field emission of heavily Si-doped AlN 2001年
• Large and stable field emission current from heavily Si-doped AlN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2000年
• Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE 2000年
• Nitrogen radical adsorption on InAs (001) surface studied by scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectronic spectroscopy 1998年
• Selectivity mechanism of all-UHV STM-based selective area growth 1998年
• In-situ STM observation of GaAs surfaces after nitridation 1997年
• Nanoscale patterning and selective growth of GaAs surfaces by ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy 1997年
• Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale 1997年
• Surface diffusion kinetics of GaAs and AlAs metalorganic chemical vapor epitaxy 1997年
• Nanometer-scale selective area growth on nitrogen-passivated surface using STM and MOMBE 1997年
• Surface kinetics of metalorganic chemical vapor epitaxy -surface diffusion, nucleus formation, sticking at steps- 1997年
• Anisotropic surface morphology of GaAs (001) surfaces passivated with nitrogen radicals 1996年
• Scanning tunneling microscopy modification of nitrogen-passivated GaAs (001) surfaces on a nanometer scale 1996年
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy 1995年
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy 1995年
• Scanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition 1994年
• Observation of GaAs (001) surface at high temperatures by scanning tunneling microscopy 1993年
• Equilibrium multiatomic step structure of GaAs (001) vicinal surfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition 1993年
• Multi-atomic steps on metalorganic chemical vapor deposition-grown GaAs vicinal surfaces studied by atomic force microscopy 1992年
• Polarized photoluminescence of fractional layer superlattices 1992年
• Fractional layer superlattices grown by MOCVD and their device application 1992年
• Anisotropy in photoluminescence and absorption spectra of fractional layer superlattices 1991年
• Photoluminescence lifetime of AlAs/GaAs disordered superlattices 1991年
• DX centers in AlxGal-xAs bulk alloy, AlAs/GaAs ordered and disordered superlattices 1991年
• Step-density dependence of growth rate on vicinal surface of MOCVD 1991年
• Photoluminescent properties and optical absorption of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990年
• Optical properties of disordered superlattices 1990年
• Photoluminescent properties of AlAs/AlxGa1-xAs (x=0.5) disordered superlattices 1990年
• Electroluminescence of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990年
• Absorption spectra and photoluminescent processes of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990年
• Proposal and experimental results of disordered crystalline semiconductors 1989年

著書

• ダイヤモンドヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドＦＥＴへの応用;　2022年01月
  発表情報;　次世代パワー半導体の開発・評価と実用化、岩室憲幸監修、ＮＴＳ, 137-148
  著者;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンドデバイスのスマートフォン・タッチパネル向けデバイスへの応用の可能性;　2013年04月
  発表情報;　技術情報協会
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド半導体　２．デバイス;　2009年
  発表情報;　「パワーエレクトロニクスの新展開　―SiC、GaN、 ダイヤモンド半導体―」、 シーエムシー出版
  著者;　嘉数 誠
  
• 水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ;　2009年
  発表情報;　CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors Eds. R. Sussmann, John Wiley & Sons, Ltd, 289-312
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド高周波デバイス;　2008年
  発表情報;　「ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線」、シーエムシー出版, 266-278
  著者;　嘉数 誠
  
• 第６節　ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題;　2007年
  発表情報;　化合物半導体の最新技術 大全集～結晶成長から発光素子を中心に～ 技術情報協会
  著者;　谷保芳孝、嘉数 誠、牧本俊樹
  
• AlN light-emitting diodes;　2006年
  発表情報;　Modern Wide Bandgap Semiconductors and Related Optoelectronic Devices Springer-Verlag, Berlin
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• 微傾斜面とエピタキシー;　2002年
  発表情報;　結晶成長のダイナミクスシリーズ:　3　エピタキシャル成長のメカニズム 中嶋一雄編集、共立出版, 135-153
  著者;　嘉数　誠
  

原著論文

• AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023年10月
  発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 1704
  著者;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, M. Kas
  
• 1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio;　2023年09月
  発表情報;　IEEE Electron Dev. Lett., 44, 293
  著者;　Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi,
  
• Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes;　2023年09月
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys, 62, SF1001
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata and Makoto Kasu
  
• Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023年06月
  発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 975
  著者;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, M. Kasu
  
• The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure;　2023年03月
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 62, 040902
  著者;　Yuhei Seki, Niloy Chandra Saha, Seiya Shigematsu, Yasushi HOSHINO, Jyoji Nakata, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
  
• Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs;　2023年03月
  発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 793
  著者;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
  
• 3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2023年01月
  発表情報;　IEEE Electron Dev. Lett., 44, 112
  著者;　Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
  
• Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2022年12月
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 120, 122107
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
  
• High Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography;　2022年12月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 61, 055501
  著者;　Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
  
• Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown -Ga2O3 crystals;　2022年12月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 61, 050101
  著者;　Osamu Ueda, Makoto Kasu, Hirotaka Yamaguchi
  
• 875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET;　2022年12月
  発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 43, 5, 777
  著者;　N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu
  
• Growth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates;　2022年12月
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 126, 109086
  著者;　M. Kasu, R. Takaya, S. –W. Kim
  
• 3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs;　2022年12月
  発表情報;　IEEE Electron Dev. Lett., 43, 1303
  著者;　Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
  
• Initial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate;　2022年12月
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 128, 109287
  著者;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim
  
• Identification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2022年12月
  発表情報;　Appl. Phys. Express, 15, 111001
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2022年01月
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 120, 092101
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design;　2021年12月
  発表情報;　Adavanced Materials, 2104564
  著者;　Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa
  
• Two-inch high-quality (001) diamond heteroepitaxial growth on sapphire (112 ̅0) misoriented substrate by step-flow mode;　2021年12月
  発表情報;　Applied Physics Express, 14, 115501
  著者;　Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, Shintaro Hirano, and Makoto Kasu
  
• Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2021年12月
  発表情報;　Applied Physics Express, 14, 115501
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Schottky barrier diodes fabricated on high-purity type-IIa CVD diamond substrates using an all-ion-implantation process;　2021年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 60, 050903 (2021), 60, 050903
  著者;　Seiya Shigematsu, Toshiyuki Oishi, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, and Makoto Kasu
  
• Stacking faults: Origin of leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2021年04月
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 118, 172106
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Satoshi Masuya, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• 345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond;　2021年04月
  発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 42, 903-906
  著者;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu
  
• Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer;　2021年04月
  発表情報;　Appl. Phys. Express 14, 051004 (2021)., 14, 051004
  著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, and Seong-Woo Kim
  
• Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications;　2021年01月
  発表情報;　Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications, 111, 108207
  著者;　Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Tianzhuo Zhan, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Kazu Katayama, Takanobu Watanabe, Hideto Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa
  
• Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2021年01月
  発表情報;　Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography, 14, 036502
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• Observation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy;　2020年10月
  発表情報;　, 128, 135702
  著者;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, and Makoto Kasu
  
• Growth of high-quality one-inch freestanding heteroepitaxial (001) diamond on (110) sapphire substrate;　2020年10月
  発表情報;　, 117, 202102
  著者;　Seong-Woo Kim, Yuki Kawamata, Ryota Takaya, Koji. Koyama, and Makoto Kasu
  
• 145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer;　2020年08月
  発表情報;　IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 41, 1066 (2020)., 41, 1066
  著者;　Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu
  
• Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy;　2020年08月
  発表情報;　Appl. Phys. Lett. 117, 022106 (2020);, 117, 022106
  著者;　Sayleap Sdoeung , Kohei Sasaki , Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
  
• Temperature coefficient of the characteristic values of the charge-accumulation-type potential-induced-degraded n-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell;　2020年04月
  発表情報;　Jpn. J. Applied Phys, 59, 051001 (2020)., 59, 051001
  著者;　Makoto Kasu, Jaffar Abdu, Shigeomi Hara, Sung-Woo Choi, Kinichi Ogawa, Yasuo Chiba, and Atsushi Masuda
  
• Fabrication of diamond/Cu direct bonding interface for power device applications;　2020年01月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 59, SBBB03 (2020), 59, SBBB03
  著者;　S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang
  
• Characteristics change in organic photovoltaics by thermal recovery and photodegradation;　2020年01月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 59, SCCD04 (2020), 59, SCCD04
  著者;　R. Sato, Y. Chiba, M. Chikamatsu, Y. Yoshida, T. Taima, M. Kasu, and A. Masuda
  
• Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management;　2020年01月
  発表情報;　Appl. Nano Materials 2020, 3, 3, 2455-2462, 3, 3, 2455
  著者;　J. Liang, Y. Ohno, Y. Yamashita, Y. Shimizu, S. Kanda, N. Kamiuchi, S-W Kim, K. Koyama, Y. Nagai, M. Kasu, and N. Shigekawa
  
• “Investigation of the power generation of organic photovoltaic modules connected to the power grid for more than three years;　2019年04月
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 58, 05, 052001
  著者;　R. Sato, Y. Chiba, M. Chikamatsu, Y. Yoshida, T. Taima, M. Kasu, and A. Masuda,
  
• Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography;　2019年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 58, 05, 055501
  著者;　S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, O. Ueda, and M. Kasu,
  
• Temperature dependence of potential-induced degraded p-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell characteristics;　2019年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics vol.58, pp.101005 (2019)., 58, 101005
  著者;　M. Kasu, J. Abdu, S. Hara, S. Choi, K. Ogawa, Y. Chiba, A. Masuda
  
• Output power behavior of passivated emitter and rear cell photovoltaic modules during early installation stage: influence of light-induced degradation;　2019年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics vol.58, pp. 106510 (2019)., 58, 106510
  著者;　R. Sato, T. Ishii, S. Choi, Y. Chiba, M. Kasu, and A. Masuda
  
• Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy;　2019年02月
  発表情報;　APL. Mater, 7, 022503
  著者;　Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, and S. Fujita
  
• Stability of diamond Si bonding interface during device fabrication process;　2019年01月
  発表情報;　Applied Physics Express, 12, 01, 016501)
  著者;　J. Liang, S. Masuya, S. –W. Kim, T. Oishi, M. Kasu, N. Shigekawa,
  
• Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements;　2019年01月
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 91, 219–224
  著者;　Niloy Chandra Saha, M. Kasu
  
• Improvement of the Al2O3NO2H-diamond MOS FET by using Au gate;　2019年01月
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 92, 81–85
  著者;　Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu,
  
• Temperature dependence measurements and performance analyses of high-efficiency interdigitated back-contact, passivated emitter and rear cell, and silicon heterojunction photovoltaic modules;　2018年08月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 57,08RG18 (2018)., 57, 08., 08RG18
  著者;　M. Kasu, J. Abdu, S. Hara, Y. Chiba, A. Masuda,
  
• Dislocations in chemical vapor deposition (111) single crystal diamond observed by synchrotron X-ray topography and their relation with etch pits;　2018年04月
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 90, 40-46
  著者;　S. Masuya, M. Kasu,
  
• Band Alignment of Al2O3 Layer Deposited NO and SO2;　2018年04月
  発表情報;　Phys. Status Solidi, A 2018, 18, 1800237
  著者;　Saha Niloy Chandra, M. Kasu
  
• Reduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by confinement in the lateral sector;　2018年03月
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 83, 162-169
  著者;　A. Boussadi, A. Tallaire, M. Kasu, J. Barjon, J. Achard,
  
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3;　2017年09月
  発表情報;　apanese Journal of Applied Physics, 56, 091101
  著者;　M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda,
  
• Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface;　2017年05月
  発表情報;　, 10, 03, 035701.
  著者;　T. Oshima, Y. Kato, N. Kawano, T. Oishi, M. Kasu
  
• Epitaxial growth of γ-(Alx Ga1-x )O3 alloy films for band-gap engineering;　2017年05月
  発表情報;　Applied Physics Express 10, 051104 (2017)., 10, 05, 051104
  著者;　T. Oshima, Y. Kato, M. Oda, T. Hitora, M. Kasu
  
• Formation of stacking fault and dislocation behavior during the high temperature annealing of single-crystal HPHT diamond;　2017年04月
  発表情報;　Dia. Rel. Mater., 75, 155–160
  著者;　S. Masuya, K. Hanada, T. Oshima, H. Sumiya, M. Kasu
  
• Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects;　2017年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 086501
  著者;　T. Oshima, A. Hashiguchi, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, T. Oishi, and M. Kasu
  
• Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3;　2017年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 091101
  著者;　M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
  
• Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation;　2017年01月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 1, 01AA01
  著者;　Makoto Kasu
  
• Diamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna;　2017年01月
  発表情報;　IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 38, 1, 87
  著者;　Toshiyuki Oishi, Naoto Kawano, Satoshi Masuya, and Makoto Kasu
  
• Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2016年12月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BB
  著者;　M. Kasu, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oshima, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
  
• Structural evaluation of defects in β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process;　2016年12月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BD
  著者;　O. Ueda N. Ikenaga, K. Koshi, K. Iizuka, A. Kuramata, K. Hanada, T. Moribayashi, S. Yamakoshi, and M. Kasu
  
• Origins of etch-pits in (010) β-Ga2O3 single crystals;　2016年12月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BG
  著者;　K Hanada, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. Kasu,
  
• Diamond epitaxy: basics and applications;　2016年08月
  発表情報;　Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 62, 317–328
  著者;　Makoto Kasu
  
• “Estimation method of solar cell temperature using meteorological data in mega solar power plant;　2016年08月
  発表情報;　IEEE Journal of Photovoltaics, 6, 1255
  著者;　S. Hara, M. Kasu, and N. Matsui,
  
• Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3;　2016年08月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202B7
  著者;　Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
  
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals;　2016年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 030303
  著者;　K. Hanada, T. Moribayashi, T. Uematsu, S. Masuya, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. Kasu
  
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes;　2016年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030305
  著者;　T. Oishi, K. Harada, Y. Koga, and M. Kasu
  
• “Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer;　2016年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 041301
  著者;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi,
  
• Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer;　2016年02月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4, 041301
  著者;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi
  
• Determination of the type of stacking faults in single-crystal high-purity diamond with a low dislocation density of < 50 cm−2 by synchrotron X-ray topography;　2016年02月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4, 040303
  著者;　S. Masuya, K. Hanada, T. Uematsu, T. Moribayashi, H. Sumiya, and M. Kasu,
  
• Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystalsUematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, and Makoto Kasu;　2016年01月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030303
  著者;　Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Takumi Uematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, and Makoto Kasu
  
• Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (2̅ 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes;　2016年01月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030305
  著者;　Toshiyuki Oishi, Kazuya Harada, Yuta Koga, and Makoto Kasu
  
• High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact;　2015年01月
  発表情報;　Applied Physics Express, 8, 3, 031101
  著者;　大石敏之、古賀優太、原田和也、嘉数　誠
  
• Synchrotron X-ray topography of dislocations in high-pressure high-temperature-grown single-crystal diamond with low dislocation density;　2014年11月
  発表情報;　Applied Physics Express, 7, 12, 125501-125501
  著者;　M. Kasu, R. Murakami, S. Masuya, K. Harada, and H. Sumiya
  
• Electronic states of NO2-exposed H-terminated diamond/Al2O3 heterointerface studied by synchrotron radiation photoemission and X-ray absorption spectroscop;　2014年04月
  発表情報;　APPLIED PHYSICS LETTERS, 104, 7, 072101-072101
  著者;　K. Takahashi, M. Imamura, K. Hirama, and M. Kasu
  
• Maximum hole concentration for Hydrogen-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by exposure to highly concentrated NO 2;　2013年10月
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 31, 47-49
  著者;　H. Sato, M. Kasu
  
• Carrier Gas Dependent Evaporation Energy of GaN Estimated from Spiral Growth Rates in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2013年09月
  発表情報;　Appl. Phys. Express, 6, 105501
  著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu, H. Yamamoto,
  
• Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule;　2013年
  発表情報;　Surface Science, 609, 203-206
  著者;　Y. Takagi, K. Shiraishi, Makoto Kasu, and H. Sato,
  
• Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface;　2012年10月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 090114
  著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• Efficient structure for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency: A first-principles study of AlN/GaN superlattice;　2012年10月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 02BJ11
  著者;　K. Kamiya, Y. Ebihara, M. Kasu, K. Shiraishi
  
• Thermal stabilization of hole channel on H-terminated diamond surface by using atomic-layer-deposited AL 2O 3 overlayer and its electric properties;　2012年10月
  発表情報;　Applied Physics Express, 5, 2, 025701
  著者;　M. Kasu, H. Sato, K. Hirama
  
• Polarization property of deep-ultraviolet light emission from C-plane AlN/GaN short-period superlattices;　2012年10月
  発表情報;　Applied Physics Letters,, 99, 25, 251112
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• “Thermal Stabilization of Hole Channel on H-Terminated Diamond Surface by Using Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Overlayer and its Electric Properties”;　2012年
  発表情報;　Appl. Phys. Express, 5, 025701-025701.
  著者;　M. Kasu, H. Sato, and K. Hirama
  
• Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate;　2012年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 01AG09- 01AG09
  著者;　K. Hirama, M. Kasu, and Y. Taniyasu,
  
• RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond;　2012年
  発表情報;　IEEE Electron Device Lett., 33, 513-515
  著者;　K. Hirama, M. Kasu, and Yoshitaka Taniyasu
  
• Electronic properties of H-terminated diamond during NO2 and O3 adsorption and desorption;　2012年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 24, 99-103
  著者;　H. Sato and M. Kasu
  
• Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3 Passivation;　2012年
  発表情報;　IEEE Electron Device Lett., 33, 1111-1113
  著者;　K. Hirama, H. Sato, Y. Harada, and H. Yamamoto, and M. Kasu
  
• Diamond Field-Effect Transistors with 1.3A/mm Drain Current Density by Al2O3 Passivation Layer;　2012年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 51, 090112-090112
  著者;　K. Hirama, H. Sato, Y. Harada, H. Yamamoto, and M. Kasu,
  
• Electroluminescence and capacitance-voltage characteristics of singlecrystal n-type AlN (0001) /p-type diamond (111) heterojunction diodes;　2011年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 98, 011908
  著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• “Structural design of AlN/GaN superlattices for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency”,;　2011年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 2011, 151108-151108
  著者;　K. Kamiya, Y. Ebihara, K. Shiraishi, and M. Kasu,
  
• Coherent coupling of a superconducting flux qubit to an electron spin ensemble in diamond;　2011年
  発表情報;　Nature, 478, 221-224
  著者;　Xiaobo Zhu, Shiro Saito, Alexander Kemp, Kosuke Kakuyanagi, Shin-ichi Karimoto, Hayato Nakano, William J. Munro, Yasuhiro Tokura, Mark S. Everitt Kae Nemoto, Makoto Kasu, Norikazu Mizuochi and Kouichi Semba,
  
• Hexagonal AlN(0001) heteroepitaxial growth on cubic diamond (001);　2010年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DH01
  著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors;　2010年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DF16
  著者;　K. Ueda and M. Kasu
  
• Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas;　2010年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 19, 889-893
  著者;　M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima, F. Maeda,
  
• Supersaturation in nucleus and spiral growth in metal organic vapor phase epitaxy;　2010年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett, 94, 141902
  著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, and M. Kasu
  
• Sorption properties of NO2 gas and its strong influence on hole concentration of H-terminated diamond surfaces;　2010年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 96, 052101
  著者;　M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima
  
• Heterostructure growth of a single-crystal hexagonal AlN (0001) layer on cubic diamond (111) surface;　2010年
  発表情報;　J. Appl. Phys., 108, 013528
  著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
  
• Surface 210-nm light emission from AlN p-n junction light-emitting diode by A-plane growth orientation;　2010年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 96, 221110
  著者;　Y. Taniyasu and M. Kasu
  
• Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy;　2010年
  発表情報;　Appl. Phys. Express, 3, 075602
  著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu
  
• Enhancement and stabilization of hole concentration of hydrogen-terminated diamond surface using ozone adsorbates;　2010年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 110208
  著者;　M. Kubovic and M. Kasu
  
• Arsenic-doped n-type diamond grown by microwave-assisted plasma chemical vapor deposition;　2010年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 110209
  著者;　M. Kasu and M. Kubovic
  
• Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD;　2009年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 18, 121-123
  著者;　K. Ueda and M. Kasu
  
• MOVPE growth of hexagonal aluminium nitride on cubic diamond;　2009年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 311, 2825-2830
  著者;　Y. Taniyasu and M. Kasu
  
• Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors;　2009年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 311, 3000-3002
  著者;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate;　2009年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 311, 3054-3057
  著者;　C. L. Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, and M. Kasu
  
• Structural and electrical properties of hydrogen-terminated diamond field-effect transistor;　2009年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 18, 796-799
  著者;　M. Kubovic, M. Kasu, Y. Yamauchi, K. Ueda, and H. Kageshima
  
• Identification of etch-pit crystallographic faces induced on diamond surface by H2/O2 etching plasma treatment;　2009年
  発表情報;　Phys. Status Solidi A, 206, 1949-1954
  著者;　J. Achard, F. Silva, O. Brinza, X. Bonnin, V. Lille., R. Issaoui, M. Kasu, A. Gicquel,
  
• Improvement of hydrogen-terminated diamond FETs in nitrogen dioxide atmosphere;　2009年
  発表情報;　Appl. Phys. Express, 2, 086502
  著者;　M. Kubovic and M. Kasu
  
• Origin of Schottky barrier modification by hydrogen on diamond;　2009年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 48, 111602
  著者;　H. Kageshima and M. Kasu
  
• Photoluminescence of highly excited AlN: biexcitons and exciton-exciton scattering;　2009年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 95, 031903
  著者;　R. A. R. Leute, M. Feneberg, R. Sauer, K. Thonke, S. B. Thapa, F. Scholz, Y. Taniyasu, and M. Kasu
  
• Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy;　2009年
  発表情報;　Appl. Phys. Express, 2, 091002
  著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu
  
• High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors;　2008年07月
  発表情報;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 2957-2959
  著者;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu and T. Makimoto
  
• Diamond RF FETs and other approaches to electronics;　2008年07月
  発表情報;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 3165-3168
  著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima and Y. Taniyasu
  
• Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond;　2008年07月
  発表情報;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 3175-3177
  著者;　Kenji Ueda, Yoshiharu Yamauchi and Makoto Kasu
  
• Anisotropic in-plane strains in nonpolar AlN and AlGaN (11-20) films grown on SiC (11-20) substrates;　2008年
  発表情報;　Applied Physics Letters, 93, 161908
  著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, and M. Kasu
  
• RF equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination;　2008年
  発表情報;　IEICE Transactions on Electronics, E91C, 1042-1049
  著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, and Y. Yamauchi
  
• Origin of growth defects in CVD diamond epitaxial films;　2008年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 60-65
  著者;　A. Tallaire, M. Kasu, K. Ueda, and T. Makimoto
  
• High-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond;　2008年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 502-505
  著者;　K. Ueda and M. Kasu
  
• Thick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles;　2008年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 506-510
  著者;　A. Tallaire, M. Kasu, and K. Ueda
  
• Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors;　2008年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 741-744
  著者;　M. Kasu, K. Ueda, and Y. Yamauchi
  
• High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements;　2008年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 1269-1272
  著者;　K. Ueda and M. Kasu
  
• Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes;　2008年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 1273-1277
  著者;　Y. Taniyasu and M. Kasu
  
• High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes;　2008年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 47, 2838-2840
  著者;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination;　2007年
  発表情報;　Applied Physics Letters, 90, 043509
  著者;　M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, and T. Makimoto
  
• High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond;　2007年
  発表情報;　Applied Physics Letters, 90, 122102
  著者;　K. Ueda, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Radiation and polarization properties of free-exciton emission from AlN (0001) surface;　2007年
  発表情報;　Applied Physics Letters, 90, 261911
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0001) substrate;　2007年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 298, 310-315
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Cathodoluminescence, photoluminescence, and reflectance study of an aluminum nitride layer grown on silicon carbide substrate;　2007年
  発表情報;　J. Applied Physics, 101, 023511
  著者;　G. M. Prinz, A. Ladenburger, M. Schirra, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications;　2007年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 16, 1010-1015
  著者;　M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, A. Tallaire, and T. Makimoto
  
• High RF output power for H-terminated diamond FETs;　2006年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 783-786
  著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, and T. Makimoto
  
• Temperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET;　2006年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 787-791
  著者;　H. Ye, M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, N. Maeda, S. Sasaki, and T. Makimoto
  
• High-pressure and high-temperature annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films;　2006年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 1789-1791
  著者;　K. Ueda, M. Kasu, A. Tallaire, Y. Yamauchi, and T. Makimoto
  
• Characterization of high-quality poly-crystalline diamond and its high FET performance;　2006年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 1954-1957
  著者;　K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. Coe
  
• Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz;　2006年
  発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 27, 570-572
  著者;　K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. Coe
  
• Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density;　2006年
  発表情報;　Applied Physics Letters, 89, 182112
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres;　2006年
  発表情報;　Nature, 441, 325-328
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors;　2006年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 45, 3395-3397
  著者;　T. Makimoto, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto
  
• Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates;　2005年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 44, 2722-2725
  著者;　T. Makimoto, Y. Yamauchi, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto,
  
• 2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs;　2005年
  発表情報;　Electronics Letters, 41, 1249-1250
  著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, and T. Makimoto,
  
• Field emission properties of heavily Si-doped AlN in triode-type display structure;　2004年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 84, 2115-2117
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1);　2004年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 85, 4672-4674
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Influence of epitaxy on the surface conduction of diamond film;　2004年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 13, 226-232
  著者;　M. Kasu, M. Kubovic, A. Aleksov, N. Teofilov, Y. Taniyasu, R. Sauer, E. Kohn, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs;　2004年
  発表情報;　Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs, 13, 802-807
  著者;　M. Kubovic, M. Kasu, I. Kallfass, M. Neuburger, A. Aleksov, G. Koley, M. G. Spencer, and E. Kohn
  
• Properties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor;　2004年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 43, L975-L977
  著者;　M. Kasu, M. Kubovic, A. Aleksov, N. Teofilov, R. Sauer, E. Kohn, and T. Makimoto
  
• High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80%;　2003年
  発表情報;　Phys. Stat. Sol. (a), 200, 40-43
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Triode-type basic display structure using Si-doped AlN field emitters;　2003年
  発表情報;　Phys. Stat. Sol. (a), 200, 199-201
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Formation of stacking faults containing microtwins in (111) chemical-vapor-deposited diamond homoepitaxial layers;　2003年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 83, 3465-3467
  著者;　M. Kasu, T. Makimoto, W. Ebert, and E. Kohn
  
• High mobility and high crystalline-quality chemical-vapor-deposition grown homoepitaxial diamond;　2003年
  発表情報;　Diamond and Related Materials, 12, 413-417
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Reduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin SixAl1-xN interlayers;　2003年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 83, 4140-4142
  著者;　T. Akasaka, T. Nishida, Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
  
• Intentional control of n-type conduction for Si-deoped AlN and AlxGa1-xN (0.42発表情報;　Appl. Phys. Lett., 81, 1255-1257
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
  
• Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content;　2002年
  発表情報;　Physica Status Solidi (B), 234, 845-849
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
  
• High hole mobility (1300cm2/Vs) at room temperature in hydrogen-terminated (001) diamond;　2002年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 80, 3961-3963
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Spontaneous ridge-structure formation and large field emission of heavily Si-doped AlN;　2001年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 78, 1835-1837
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38発表情報;　Appl. Phys. Lett., 79, 3642-3644
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Lattice parameters of wurtzite Al1-xSixN ternary alloy;　2001年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 79, 4351-4353
  著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
  
• Formation of solid solution of Al1-xSixN (0発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 40, L1048-L1050
  著者;　M. Kasu, Y. Taniyasu, and N. Kobayashi
  
• Spontaneous ridge formation and its effect on field emission of heavily Si-doped AlN;　2001年
  発表情報;　Physica Status Solidi (a), 188, 779-782
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Large and stable field emission current from heavily Si-doped AlN grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2000年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 76, 2910-2912
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE;　2000年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 221, 739-742
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Nitrogen radical adsorption on InAs (001) surface studied by scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectronic spectroscopy;　1998年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 73, 3754-3756
  著者;　M. Kasu, N. Kobayashi, H. Tanaka, and O. Mikami
  
• Selectivity mechanism of all-UHV STM-based selective area growth;　1998年
  発表情報;　Appl. Surf. Sci., 130, 452-456
  著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• In-situ STM observation of GaAs surfaces after nitridation;　1997年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1733-1735
  著者;　T. Makimoto, M. Kasu, J. L. Benchmol, and N. Kobayashi
  
• Nanoscale patterning and selective growth of GaAs surfaces by ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy;　1997年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 36, 3821-3826
  著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale;　1997年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 70, 1161-1163
  著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Surface diffusion kinetics of GaAs and AlAs metalorganic chemical vapor epitaxy;　1997年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 170, 246-250
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Nanometer-scale selective area growth on nitrogen-passivated surface using STM and MOMBE;　1997年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 173, 589-591
  著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Surface kinetics of metalorganic chemical vapor epitaxy -surface diffusion, nucleus formation, sticking at steps-;　1997年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 174, 513-521
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Anisotropic surface morphology of GaAs (001) surfaces passivated with nitrogen radicals;　1996年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 68, 955-957
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Scanning tunneling microscopy modification of nitrogen-passivated GaAs (001) surfaces on a nanometer scale;　1996年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 68, 1811-1813
  著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
  
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy;　1995年
  発表情報;　J. Appl. Phys., 78, 3026-3035
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy;　1995年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 67, 2842-2844
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Scanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition;　1994年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 33, 712-715
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Observation of GaAs (001) surface at high temperatures by scanning tunneling microscopy;　1993年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 127, 1064-1067
  著者;　H. Yamaguchi, M. Kasu, T. Sueyoshi, T. Sato, and M. Iwatsuki
  
• Equilibrium multiatomic step structure of GaAs (001) vicinal surfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition;　1993年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 62, 1262-1264
  著者;　M. Kasu and N. Kobayashi
  
• Multi-atomic steps on metalorganic chemical vapor deposition-grown GaAs vicinal surfaces studied by atomic force microscopy;　1992年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 31, L864-L866
  著者;　M. Kasu and T. Fukui
  
• Polarized photoluminescence of fractional layer superlattices;　1992年
  発表情報;　Surface Science, 267, 300-303
  著者;　M. Kasu, H. Ando, H. Saito, and T. Fukui
  
• Fractional layer superlattices grown by MOCVD and their device application;　1992年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 124, 493-496
  著者;　T. Fukui, K. Tsubaki, H. Saito, M. Kasu, and T. Honda
  
• Anisotropy in photoluminescence and absorption spectra of fractional layer superlattices;　1991年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 59, 301-303
  著者;　M. Kasu, H. Ando, H. Saito, and T. Fukui
  
• Photoluminescence lifetime of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1991年
  発表情報;　Appl. Phys. Lett., 59, 800-802
  著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• DX centers in AlxGal-xAs bulk alloy, AlAs/GaAs ordered and disordered superlattices;　1991年
  発表情報;　J. Electron. Materials, 20, 691-693
  著者;　M. Kasu, R. Rao, S. Noda, and A. Sasaski
  
• Step-density dependence of growth rate on vicinal surface of MOCVD;　1991年
  発表情報;　J. Crystal Growth, 115, 406-410
  著者;　M. Kasu, H. Saito, and T. Fukui
  
• Photoluminescent properties and optical absorption of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990年
  発表情報;　J. Appl. Phys., 68, 5318-5323
  著者;　T. Yamamoto, M. Kasu, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Optical properties of disordered superlattices;　1990年
  発表情報;　J. Electron. Materials, 19, 11-12
  著者;　A. Sasaki, M. Kasu, and S. Noda
  
• Photoluminescent properties of AlAs/AlxGa1-xAs (x=0.5) disordered superlattices;　1990年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1055-L1058
  著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Electroluminescence of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1588-L1590
  著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Absorption spectra and photoluminescent processes of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, 828-834
  著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. Sasaki
  
• Proposal and experimental results of disordered crystalline semiconductors;　1989年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1249-L1251
  著者;　佐々木昭夫、嘉数　誠、山本悌二、野田　進
  

資料・解説・論説・研究報告・総合雑誌の論文

• ダイヤモンド半導体;　2022年02月
  発表情報;　學士會会報
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす;　2021年11月
  発表情報;　ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす, 972
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展;　2021年11月
  発表情報;　かがやき, 33
  著者;　嘉数　誠
  
• パワー半導体デバイス応用を目指したダイヤモンド，酸化ガリウムのシンクロトロンX 線トポグラフィー観察;　2020年01月
  発表情報;　放射光学会Nov. 2019 Vol.32 No.6、285-291, 32, 6, 285
  著者;　嘉数　誠、桝谷聡士
  
• 資源問題と表面科学;　2014年12月
  発表情報;　表面科学, 35, 12
  著者;　嘉数　誠
  
• シンクロトロン光・X線トポグラフィーを用いたダイヤモンド単結晶の転位の同定;　2014年04月
  発表情報;　ニューダイヤモンド, 30, 4, 113-116
  著者;　嘉数 誠、村上竜一、桝谷聡士
  
• ダイヤモンド結晶成長：パワーデバイス応用への現状と課題;　2012年12月
  発表情報;　結晶成長学会誌, 39, 4, 6
  著者;　嘉数　誠、平間 一行、佐藤寿志
  
• NO2及びO3吸着による水素終端ダイヤモンド表面での正孔生成;　2012年10月
  発表情報;　表面科学, 33, 10, 575
  著者;　嘉数　誠、佐藤寿志、M. Kubovic、前田文彦
  
• CVD 単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子、転位、不純物ドーピングの機構;　2012年04月
  発表情報;　結晶成長学会誌, 39, 4, 38-42
  著者;　嘉数　誠
  

一般講演（学術講演を含む）

• ダイヤモンドMOSFET の高速(<10ns)スイッチング特性;　2023年03月
  発表情報;　17a-A301-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月17日
  著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 白土智基，金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠、
  
• ダイヤモンドMOSFET の長時間(190h)ストレス測定;　2023年03月
  発表情報;　17a-A301-9、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月17日
  著者;　ニロイチャンドラサハ, 白土智基，金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器のα線特性;　2023年03月
  発表情報;　16a-D311-10, 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月16日
  著者;　入江 優雅, 人見啓太朗, 野上光博，金 聖祐，小山浩司，ニロイ チャンドラ サハ
  
• 高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX 線トポグラフィーによるHVPE (001)型酸化ガリウムSBD のリーク電流の起源になるキラー欠陥の同定;　2023年03月
  発表情報;　15p-E102-15、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Makoto Kasu
  
• (011)面方位 HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定;　2023年03月
  発表情報;　15p-E102-16、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  著者;　大坪 優斗、スダーン セイリープ、佐々木 公平、倉又 朗人、嘉数 誠
  
• ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング動作;　2023年03月
  発表情報;　電子通信情報学会総合大会C-10-6、さいたま、2023年3月9日
  著者;　白土智基・Niloy Saha・Seongwoo Kim・・大石敏之・嘉数　誠
  
• ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス特性;　2023年03月
  発表情報;　電子通信情報学会総合大会C-10-7、さいたま、2023年3月9日
  著者;　白土智基・Niloy Saha・Seongwoo Kim・小山浩司・大石敏之・嘉数　誠
  
• 3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates;　2022年11月
  発表情報;　The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston
  著者;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
  
• Growth process of high-quality 2-in-diameter CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate;　2022年11月
  発表情報;　The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston
  著者;　Makoto Kasu, Ryo Masaki, Koji Koyama, and Seong-Woo Kim
  
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022年10月
  発表情報;　第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）、2022年10月31日－11月2日
  著者;　嘉数 誠，眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐
  
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程の観察－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022年10月
  発表情報;　第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）、2022年10月31日－11月2日
  著者;　嘉数 誠，眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐
  
• Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography;　2022年10月
  発表情報;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu
  
• High Quality Vertical Bridgman and Edge-Defined Film-Fed Growth β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-Ray Diffraction and Synchrotron X-Ray Topography;　2022年10月
  発表情報;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  著者;　Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
  
• Crystal Defects and Lattice Constants of High-Quality β-Ga2O3 Edge-Defined Film-Fed Grown Single Crystals Studied by Synchrotron X-ray Topography and High-Resolution X-Ray Diffractions;　2022年10月
  発表情報;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  著者;　Muhidul Islam Chaman, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu
  
• Microstructural Characterization of β-Ga2O3 Crystals by Photoluminescence Mapping Measurements;　2022年10月
  発表情報;　Pos 2-04, The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022
  著者;　K. Shoji, M. Nakanishi, M. Kasu, T. Yamaguchi, T. Honda, K. Sasaki, A. Kuramata, and T. Onuma
  
• 傾斜サファイア基板上に成長したダイヤモンドウェハの高品質化;　2022年09月
  発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  著者;　ジャック ダグベト， 小山浩司， 嘉数 誠，金 聖祐
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製;　2022年09月
  発表情報;　
  著者;　入江優雅, 人見啓太朗, 野上光博, 中山 隼，金 聖祐，小山浩司，ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠
  
• インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022年09月
  発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  著者;　眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠
  
• B イオン注入のみで作製した ダイヤモンドショットキーバリアダイオード;　2022年09月
  発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  著者;　関 裕平 ，重松誠也, 大石敏之, 嘉数 誠, 星野 靖, 中田穣治
  
• 3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET;　2022年09月
  発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
  著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping;　2022年09月
  発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  著者;　N. C. Saha, Irie, Seki, Nakata, Hoshino, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,
  
• 875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs;　2022年09月
  発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi
  
• Growth mechanism of high-quality inch-diameter diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates;　2022年09月
  発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  著者;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim
  
• 3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer;　2022年09月
  発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022
  著者;　M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi
  
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET;　2022年06月
  発表情報;　15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022
  著者;　Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu
  
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs;　2022年06月
  発表情報;　15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022
  著者;　N. C. Saha, S.–W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,
  
• Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs;　2022年05月
  発表情報;　Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, EQ01.16.06, On-line, May 8, 2022
  著者;　Makoto Kasu, Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Niloy Saha Chandra
  
• 垂直 VB 成長と EFG 成長(001) β-Ga2O3 結晶の X 線トポグラフィー観察;　2022年03月
  発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、26p-E202-14
  著者;　ムヒドゥル イスラム チャマン, 干川圭吾 , スダーン セイリープ , 嘉数 誠
  
• N フリーヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長;　2022年03月
  発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、25a-E204-9
  著者;　金 聖祐，高谷 亮太, 平野 慎太郎, 川又 友喜, 小山 浩司, 嘉数 誠
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ー研磨による表面キズ;　2022年03月
  発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、25p-E202-10
  著者;　スダーン セイリープ、シャーマン イスラム, 桝谷聡士, 佐々木公平, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• 精密 X 線回折法による高品質 EFG β-Ga2O3単結晶の格子定数の決定;　2022年03月
  発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、26p-E202-13
  著者;　ムヒドゥル イスラム チャマン , スダーン セイリープ ,嘉数 誠
  
• 820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V 選択ドーピダイヤモンドMOSFET;　2022年03月
  発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、22p-E302-9
  著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐,　大石敏之, 嘉数 誠
  
• 875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2 ドープダイヤモンドMOSFET;　2022年03月
  発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、22p-E302-10
  著者;　ニロイ チャンドラ サハ , 金 聖祐, 大石敏之 , 嘉数 誠
  
• Misorientation Angle of Heteroepitaxial Diamond on Sapphire Misoriented Substrate;　2022年03月
  発表情報;　15a-A408-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日
  著者;　JACQUES DAGBETO, Koji Koyama, Seongwoo Kim, Makoto Kasu
  
• High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth;　2021年12月
  発表情報;　High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth
  著者;　Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Makoto Kasu
  
• Diamond Field-Effect Transistors with Modulation Doping;　2021年12月
  発表情報;　2021 Materials Research Society Fall Meeting, EQ19.12
  著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishi
  
• サファイア基板上大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長機構;　2021年10月
  発表情報;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)
  著者;　嘉数 誠、高谷亮太、 金 聖祐
  
• ステップフロー成長を用いたサファイア基板上大口径・高品質ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長;　2021年10月
  発表情報;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)
  著者;　金聖祐, 平野慎太郎, 高谷亮太, 嘉数誠
  
• 高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィーによるHVPE(001)β型酸化ガリウムSBDのキラー欠陥の同定;　2021年10月
  発表情報;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)
  著者;　嘉数 誠，スダーン セイリープ，シャーマン イスラム，桝谷聡士，佐々木公平，川崎克己，平林 潤，倉又朗人
  
• 影が太陽光モジュールの発電量に与える影響のメカニズム;　2021年09月
  発表情報;　2021年電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会、オンライン、2021年9月24-25日
  著者;　高治 広行、 嘉数 誠、 吉岡 達也
  
• 緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価;　2021年09月
  発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、21a-P01-2、2021年9月10-13日
  著者;　庄司 昂平, 中西 雅彦, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 山口 智広, 本田 徹, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 尾沼 猛儀
  
• サファイア基板に大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構;　2021年09月
  発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13a-S301-2、2021年9月10-13日
  著者;　高谷亮太，眞崎 瞭, 金 聖祐, ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠
  
• ステップフロー成長を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化;　2021年09月
  発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13a-S301-3、2021年9月10-13日。
  著者;　金 聖祐，高谷亮太, 嘉数 誠
  
• 高分解能X線回折法によるVB成長β型酸化ガリウムの結晶品質の評価;　2021年09月
  発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13p-S201-10、2021年9月10-13日。
  著者;　チャマン　イスラム, 干川圭吾, 嘉数 誠
  
• イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード;　2021年09月
  発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-S301-8、2021年9月10-13日。
  著者;　重松 誠弥，関 裕平，星野 靖，中田 穣治，大石 敏之，嘉数 誠
  
• 選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ;　2021年09月
  発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-N305-9、2021年9月10-13日
  著者;　嘉数 誠，ニロイ サハ チャンドラ, 金 聖祐，大石敏之
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ープローブによる欠陥;　2021年09月
  発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-N206-13、2021年9月10-13日。
  著者;　スダーン セイリープ, シャーマン イスラム, 桝谷聡士, 佐々木公平, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer;　2021年09月
  発表情報;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021
  著者;　M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi,
  
• Initial Growth Mechanism of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layers on Sapphire and MgO Substrates;　2021年09月
  発表情報;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021.
  著者;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, Niloy Chandra Saha, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Seong-Woo Kim
  
• MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構;　2021年03月
  発表情報;　MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構
  著者;　真崎 瞭, 高谷亮太, 金 聖祐, 川又友喜, 小山浩司, ニロイ チャンドラ, 嘉数 誠
  
• サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド;　2021年03月
  発表情報;　サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド
  著者;　高谷亮太, 金 聖祐, 川又友喜, 小山浩司,　ニロイ サハ チャンドラ, 嘉数 誠
  
• 2608 V Operation of NO2-Doped p-channel Diamond MOSFETs;　2021年03月
  発表情報;　2021年春季応用物理学会E 19p-Z25-14、オンライン、2021年3月16-19日
  著者;　Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto Kasu
  
• Observation of Nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond Interfaces Using Synchrotron X-ray Photoemission Spectroscopy;　2021年03月
  発表情報;　2021年春季応用物理学会E 18a-Z13-7、オンライン、2021年3月16-19日
  著者;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto Kasu
  
• 顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価;　2021年03月
  発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-4、オンライン、2021年3月16-19日
  著者;　中西雅彦, 飯塚万友, 庄司昂平, 桝谷聡士, 嘉数 誠, 山口智広, 本田 徹, 佐々木公平, 倉又 朗人, 尾沼 猛儀
  
• Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope;　2021年03月
  発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-7、オンライン、2021年3月16-19日
  著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Makoto Kasu
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥;　2021年03月
  発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-7、オンライン、2021年3月16-19日
  著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人
  
• 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥;　2021年03月
  発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-8、オンライン、2021年3月16-19日
  著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人
  
• ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価;　2021年03月
  発表情報;　2021年春季応用物理学会19p-Z25-12、オンライン、2021年3月16-19日
  著者;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波
  
• Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation;　2020年11月
  発表情報;　Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation
  著者;　M. Kasu, S. Sayleap, H. Takaji, K. Sasaki, J. Arima, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, A. Kuramata,
  
• High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2020年11月
  発表情報;　High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates
  著者;　N. Chandra, T. Oishi, S.–W. Kim, Yuki Kawamata、Koji Koyama, and M. Kasu
  
• Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate;　2020年11月
  発表情報;　Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate
  著者;　M. Kasu, R. Takaya, Yuki Kawamata, Koji Koyamand, and S. -W. Kim
  
• サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長したダイヤモンドの核形成の観察;　2020年09月
  発表情報;　2020年秋季応用物理学会、8p-Z05-5、京都、2020年9月8-11日
  著者;　高谷亮太, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 嘉数 誠
  
• 高品質VB成長β型酸化ガリウムバルク結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2020年09月
  発表情報;　2020年秋季応用物理学会、9p-Z20-5、京都、2020年9月8-11日
  著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 小林拓実, 大葉悦子, 干川圭吾
  
• HVPE成長β型酸化ガリウムエピ層中の積層欠陥の観察;　2020年09月
  発表情報;　2020年秋季応用物理学会、29p-Z20-6、京都、2020年9月8-11日
  著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林 潤, 倉又 朗人
  
• 超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定;　2020年09月
  発表情報;　2020年秋季応用物理学会、9p-Z20-11、京都、2020年9月8-11日
  著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 大石敏之, 川崎克己, 平林 潤, 倉又 朗人
  
• 145-MW/cm2 NO2-Doped Diamond MOSFETs;　2020年09月
  発表情報;　2020年秋季応用物理学会、11p-Z04-9,、京都、2020年9月8-11日
  著者;　Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto Kasu
  
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察;　2020年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日。
  著者;　スダーン セイリープ, 佐々木公平, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作;　2020年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構;　2020年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日。
  著者;　高谷亮太，川又友喜，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠
  
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価;　2020年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  著者;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波
  
• 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製;　2019年09月
  発表情報;　2019年秋季応用物理学会、札幌、2019年9月18-21日
  著者;　梁 剣波、清水康雄、大野 裕、白崎謙次、永井康介、嘉数 誠、金 聖祐、Kuball Martin、重川直輝
  
• GaAs/Diamond直接接合の界面評価;　2019年09月
  発表情報;　2019年秋季応用物理学会、札幌、2019年9月18-21日
  著者;　中村祐志、清水康雄、大野 裕、詹 天卓、山下雄一郎、白崎謙次、永井康介、渡邊孝信、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波
  
• RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds,;　2019年09月
  発表情報;　30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019.
  著者;　M. Kasu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
  
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds;　2019年09月
  発表情報;　30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019
  著者;　M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
  
• Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes;　2019年08月
  発表情報;　2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio. August 12-15th 2019
  著者;　M. Kasu, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, and A. Kuramata
  
• Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal;　2019年08月
  発表情報;　2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio, August 12-15th 2019
  著者;　M. Kasu, S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Kobayashi, K. Hoshikawa, and O. Ueda
  
• Heterointerfacial electronic properties and energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface using XPS/XANES measurements;　2019年05月
  発表情報;　the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.
  著者;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto Kasu
  
• RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds;　2019年05月
  発表情報;　the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.
  著者;　M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
  
• NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作;　2019年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠
  
• サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構;　2019年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  著者;　高谷亮太，川又友喜，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠
  
• 高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察;　2019年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  著者;　スダーン セイリープ, 佐々木公平, 倉又朗人, 嘉数 誠
  
• GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価;　2019年03月
  発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
  著者;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波
  
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  著者;　Niloy Chandra Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu
  
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  著者;　佐藤梨都子、千葉恭男、近松真之、吉田郵司、嘉数 誠、當摩哲也、増田 淳
  
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  著者;　中村祐志、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  著者;　石松裕真、大石敏之、鴨川拓弥、サハニロイチャンドラ、金 聖祐、嘉数 誠
  
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  著者;　梁 剣波、神田進司、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  著者;　桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、小林拓実、干川圭吾、上田 修、嘉数 誠
  
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日
  著者;　嘉数 誠、片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林　潤、山腰茂伸、倉又朗人
  
• Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  著者;　Niloy Chandra Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu
  
• 有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  著者;　佐藤梨都子、千葉恭男、近松真之、吉田郵司、嘉数 誠、當摩哲也、増田 淳
  
• 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  著者;　中村祐志、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  著者;　石松裕真、大石敏之、鴨川拓弥、サハニロイチャンドラ、金 聖祐、嘉数 誠
  
• パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  著者;　梁 剣波、神田進司、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  著者;　桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、小林拓実、干川圭吾、上田 修、嘉数 誠
  
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係;　2019年03月
  発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会
  著者;　嘉数 誠、片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林　潤、山腰茂伸、倉又朗人
  
• Crystal defects which relate with leakage current of HVPE (001) b-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2018年11月
  発表情報;　Materials Research Society 2018 Fall Meeting
  著者;　M. Kasu, E. Katagiri, S. Fujita, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, A. Kuramata, T. Oishi
  
• The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements;　2018年11月
  発表情報;　Materials Research Society 2018 Fall Meeting
  著者;　N. C. Saha, K. Takahashi, S. Masuya, M. Imamura, M. Kasu
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるCVDダイヤモンドホモエピ膜の欠陥の観察;　2018年09月
  発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  著者;　桝谷聡士、嘉数 誠
  
• ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価;　2018年09月
  発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  著者;　木村 豊、金 聖祐、桝谷聡士、大山幸希、池尻憲次朗、嘉数 誠
  
• Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製;　2018年09月
  発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  著者;　梁 剣波、桝谷聡士、藤居大樹、金 聖祐、嘉数 誠、重川直輝
  
• DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析;　2018年09月
  発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  著者;　大石敏之、鴨川拓弥、嘉数 誠
  
• HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットの観察;　2018年09月
  発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
  著者;　片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林潤、倉又朗人、嘉数 誠
  
• Diamond field-effect transistors fabricated on high-quality heteroepitaxial diamond wafers treated by chemical mechanical polishing technology;　2018年09月
  発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM)
  著者;　M. Kasu, D. Fujii, S. Masuya, T. Oishi, S. –W. Kim
  
• Energy band alignment of Al2O3/NO/H-diamond and Al2O3/SO2/H-diamond heterointerfaces determined by synchrotron XPS/UPS/XANES measurements;　2018年09月
  発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2019
  著者;　N. C. Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu,
  
• Improvement of performance of NO2-doped H-diamond FET by using Au gate metal;　2018年09月
  発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2018
  著者;　N. C. Saha, M. Kasu
  
• ダイヤモンド基板のCMP処理によるエピタキシャル膜の高品質化;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　藤居大毅、枡谷聡士、大山幸希、武田秀俊、木村 豊、金 聖祐、嘉数 誠
  
• シンクロトロンX線セクショントポグラフィーによる低転位密度の高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　桝谷聡士、角谷 均、嘉数 誠
  
• シンクロトロンX線光電子分光法によるAl2O3/NO/Hダイヤモンドヘテロ界面のエネルギーバンドアライメントの測定;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　サハ ニロイ チャンドラ、高橋和敏、今村真幸、嘉数 誠
  
• マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　嘉数 誠、深見 成、石松裕真、桝谷聡士、大石敏之、藤居大樹、金 聖佑
  
• Al2O3/NO2ホールドープダイヤモンドMOS構造のC-V測定におけるゲート金属の影響;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　サハ ニロイ チャンドラ、嘉数 誠
  
• 高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　深見 成、網代康佑、大石敏之、河野直士、荒木幸二、桝谷聡士、嘉数 誠
  
• バックコンタクト型太陽電池，PERC型太陽電池，シリコンヘテロ接合型太陽電池モジュールの温度特性測定;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　原 重臣、ジャファー アブドゥ、崔 誠佑、千葉恭男、増田 淳、嘉数 誠
  
• HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　大島祐一、河原克明、嘉数 誠、四戸 孝、人羅俊実
  
• HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長;　2018年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　大島祐一、河原克明、神野莉衣奈、四戸 孝、人羅俊実、嘉数 誠、藤田静雄
  
• The combination of Diamond devices with Si LSI by surface activated bonding;　2018年03月
  発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2018
  著者;　Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa
  
• Interpolation Method for Missing Data of Measurement in Mega Solar Power Plant Using Wavelet Transforms;　2017年11月
  発表情報;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)
  著者;　S. Hara, M. Kasu
  
• Subsecond interval measurements of outdoor operated mega solar power plant;　2017年11月
  発表情報;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)
  著者;　Shigeomi Hara, Makoto Kasu
  
• Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect –;　2017年09月
  発表情報;　2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)
  著者;　N. C. Saha, M. Kasu
  
• Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価;　2017年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会
  著者;　梁 剣波、桝谷聡士、嘉数 誠、Y. Zhou、F. Gucmann、M. S ingh、J. Pomeroy、M. Kuball、重川直輝
  
• NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討;　2017年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会
  著者;　舟木浩祐、石松裕真、桝谷聡士、宮崎恭輔、大島孝仁、嘉数 誠、大石敏之
  
• 2017年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会
  著者;　上田 修、池永訓昭、森林朋也、輿 公祥、飯塚和幸、倉又朗人、嘉数 誠
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによるEFG成長β-Ga2O3単結晶中の欠陥の観察;　2017年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会
  著者;　桝谷聡士、輿 公祥、飯塚和幸、倉又朗人、上田 修、嘉数 誠
  
• 低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子;　2017年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会
  著者;　大島孝仁、橋川 誠、富澤三世、佐々木公平、倉又朗人、大石敏之、嘉数 誠
  
• en-Millisecond Interval Measurements of Generated Power, Irradiance and Weather at Mega Solar Power Plant;　2017年06月
  発表情報;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)
  著者;　M. Kasu, S. Hara
  
• High-Speed Measurements of Generated Power and its Relationship to Weather Observations at Yoshinogari Mega Solar Power Plant;　2017年06月
  発表情報;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)
  著者;　M. Kasu, S. Hara, and T. Uematsu
  
• Dependence of String Power on its Height in the Array in Yoshinogari Mega Solar Power Plant;　2017年06月
  発表情報;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)
  著者;　S. Hara, M. Kasu, and Y. Masutomi,
  
• Temperature Dependence and Performance Analysis of Photovoltaic Modules;　2017年06月
  発表情報;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)
  著者;　J. Abdu, S. Hara, S. Choi, Y. Chiba, A. Masuda, M. Kasu
  
• 吉野ヶ里メガソーラーにおける高速測定システムの構築;　2017年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  著者;　嘉数　誠，原　重臣，植松卓巳
  
• ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOS FETの連続動作;　2017年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  著者;　舟木　浩祐，石松　裕真，桝谷　聡士，大島　孝仁，嘉数 誠, 大石 敏之
  
• ダイヤモンド素子を用いた高耐圧レクテナ回路の作製;　2017年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  著者;　河野 直士, 深見 成, 桝谷 聡士，嘉数 誠，大石 敏之
  
• (2 ̅01) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2017年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  著者;　森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿 公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田 修，嘉数 誠
  
• (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2017年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜
  著者;　橋口 明広，森林 朋也，大島 孝仁，大石 敏之，輿 公祥，佐々木 公平， 倉又 朗人，上田 修，嘉数 誠
  
• 高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消滅;　2016年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  著者;　桝谷 聡士、森林 朋也、角谷 均、嘉数 誠
  
• イヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討;　2016年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  著者;　大石 敏之、河野 直士、嘉数 誠
  
• 酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作;　2016年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  著者;　河野 直士、大島 孝仁、嘉数 誠、大石 敏之
  
• β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2016年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  著者;　橋口 明広、森林 朋也、花田 賢志、大島 孝仁、大石 敏之、輿 公祥、佐々木 公平、倉又 朗人、上田 修、嘉数 誠
  
• β-Ga2O3 (010)単結晶のエッチピットの構造;　2016年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  著者;　森林 朋也、花田 賢志、輿 公祥、佐々木 公平、倉又 朗人、上田 修、嘉数 誠
  
• abrication of Diamond Rectenna Devices for RF Power Transmission;　2016年09月
  発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  著者;　M. Kasu, T. Oisi, N. Kawano, A. Miyachi, and S. Kawasaki
  
• Disappearance of stacking faults in single crystal diamond by thermal annealing;　2016年09月
  発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  著者;　S. Masuya, T. Moribayashi , K. Hanada, H. Sumiya , M. Kasu
  
• Real –Time Measurement of Hole Doping by NO2 and SO2 Molecular Adsorption on H-Terminated Diamond Surfaces;　2016年09月
  発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  著者;　Kenji Hanada, Makoto Kasu
  
• Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer;　2016年09月
  発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  著者;　M. Kasu, K. Hanada, K. Funaki, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi
  
• Determination of stacking faults in an (111) high pressure/high temperature (HP/HT) diamond single crystals with extremely low defect density via synchrotron X-ray topography;　2016年09月
  発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
  著者;　S. Masuya , T. Moribayashi , K. Hanada , H. Sumiya, M. Kasu
  
• Synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in HPHT diamond single crystal;　2016年03月
  発表情報;　8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya
  著者;　S. Masuya, K. Hanada, T. Uematsu, T. Moribayashi, M. Kasu, H. Sumiya
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成(110)ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の部分転位観察;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　桝谷聡士、森林朋也、花田賢志、角谷 均、嘉数 誠
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成ダイヤモンド(111)単結晶の積層欠陥観察;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　桝谷聡士、森林朋也 、花田賢志、角谷 均、嘉数 誠
  
• ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　嘉数 誠、原田 和也、古賀 優太、花田 賢志、大石 敏之
  
• -Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　嘉数 誠、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之
  
• 高濃度Snドープ-Ga2O3(-20 1)単結晶の温度特性の検討;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　大石 敏之、嘉数 誠
  
• 高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　大石 敏之，河野 直士，嘉数 誠
  
• β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　花田賢志，森林朋也，輿　公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田　修，嘉数　誠
  
• β-Ga2O3成長結晶の(010)における溝型欠陥の観察;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　花田賢志，森林朋也，輿　公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田　修，嘉数　誠
  
• ダイヤモンド表面のSO2ホールドーピングの実時間測定;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　花田 賢志，嘉数 誠
  
• ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製;　2016年03月
  発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京
  著者;　河野 直士, 大石 敏之, 嘉数 誠
  
• Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers;　2016年03月
  発表情報;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.
  著者;　Makoto Kasu, Kenji Hanada, Kazuya Harada, Yuta Koga, Kosuke Funaki, and Toshiyuki Oisi,
  
• Study on Dislocations and Stacking faults and in High-Pressure High-Temperature Synthesized Type-IIa Diamond Single Crystals by Synchrotron X-ray Topography Observations;　2016年03月
  発表情報;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.
  著者;　Makoto Kasu, Satoshi Masuya, Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Hitoshi Sumiya
  
• Observation of Crystalline Pits in β-Ga2O3 As-Grown Single Crystals;　2016年03月
  発表情報;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.
  著者;　Makoto Kasu, Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Takumi Uematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Osamu Ueda
  
• ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合;　2016年
  発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  著者;　梁 剣波、桝谷 聡士、嘉数 誠、重川 直輝
  
• β-Ga2O3用ITOオーミック電極;　2016年
  発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟
  著者;　大島 孝仁、若林 諒、服部 真依、橋口 明広^M、河野 直人^M、佐々木 公平、増井 建和、倉又 朗人、山腰 茂伸、吉松 公平、大友 明、大石 敏之、嘉数 誠
  
• NO2 分子吸着中における水素終端ダイヤモンド表面のホール濃度の測定;　2015年12月
  発表情報;　表面科学会学術講演会、2015年12月1～3日、つくば
  著者;　花田賢志, 嘉数誠
  
• b-Ga2O3ワイドギャップ半導体単結晶のエッチピットの構造;　2015年12月
  発表情報;　応用物理学会九州支部大会、2015年12月5～6日、那覇
  著者;　森林朋也、植松卓巳、桝谷聡士、花田賢志、輿公祥、佐々木公平、倉又朗人、嘉数　誠
  
• Etch-Pit Observation of EFG-grown -Ga2O3 Single Crystals;　2015年11月
  発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto
  著者;　M. Kasu, T. Uematsu, S. Masuya, T. Moribayashi, K. Hanada,　K. Koshi, K. Sasaki, and A. Kuramata
  
• Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals;　2015年11月
  発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto
  著者;　Y. Koga, K. Harada, K. Hanada, T. Oishi, and M. Kasu
  
• Estimation Method of Solar Cell Temperature Using Meteorological Data in Mega Solar Power Plant,;　2015年11月
  発表情報;　25th International Photovoltatic Science and Engineering Conference (PVSEC-25), Nov. 16-20, Busan
  著者;　S. Hara, H. Tanaka, M. Kasu, N. Matsui
  
• Estimation Method of Characteristic Parameters of Strings in Mega Solar Power Plant;　2015年11月
  発表情報;　25th International Photovoltatic Science and Engineering Conference (PVSEC-25), Nov. 16-20, Busan
  著者;　Shigeomi Hara, Makoto Kasu, Noriaki Matsui,
  
• シンクロトロンX線トポグラフィー透過法によるHPHT単結晶ダイヤモンドの 転位の観察;　2015年11月
  発表情報;　第29回ダイヤモンドシンポジウム、2015年11月19日～21日
  著者;　桝谷聡士、村上竜一、角谷均、嘉数　誠
  
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の放射光Ｘ線トポグラフィ観察;　2015年11月
  発表情報;　ダイヤモンドシンポジウム、2015年11月17＝19日、東京
  著者;　桝谷聡士、花田賢志、植松卓巳、森林朋也、角谷 均、嘉数 誠
  
• EFG成長β- Ga2O3単結晶のエッチピットの観察;　2015年10月
  発表情報;　結晶成長学会国内会議2015年10月~21日、札幌
  著者;　花田賢志，森林朋也，植松卓巳，桝谷聡士，嘉数誠，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人
  
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド(110)単結晶の積層欠陥の評価;　2015年10月
  発表情報;　
  著者;　桝谷聡士、花田賢志、植松卓巳、森林朋也、嘉数誠、角谷均
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド 単結晶の転位の種類の同定;　2015年10月
  発表情報;　結晶成長学会国内会議、札幌、2015年10月19日～21日
  著者;　嘉数　誠，村上竜一、桝谷聡士、原田和也、角谷　均
  
• b-Ga2O3(01 ̅0)単結晶のエッチピット観察;　2015年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  著者;　植松卓巳、桝谷聡士、森林朋也、花田賢志、輿公祥、飯塚和幸、倉又郎人、嘉数　誠
  
• シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察;　2015年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  著者;　植松卓巳、桝谷聡士、花田賢志、角谷　均、嘉数　誠
  
• Snドープb-Ga2O3(-2 0 1)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製;　2015年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  著者;　古賀 優太、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之、嘉数 誠
  
• NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製;　2015年09月
  発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋
  著者;　古賀 優太、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之、嘉数 誠
  
• NO2 吸着ダイヤモンドFET のデバイスモデルの提案;　2015年09月
  発表情報;　電子情報通信学会ソサエティー大会2015年9月8日（火）～11日（金）, 仙台 電子情報通信学会ソサエティー大会2015年9月8日（火）～11日（金）, 仙台
  著者;　大石 敏之、 岸川 拓也、 吉川 大地、 古賀 優太、 嘉数 誠
  
• Synchrotron X-ray Topography Observation of (110) HPHT type-IIa Diamond Single Crystals;　2015年05月
  発表情報;　International Conference on New Diamond and Nano Carbon (NDNC),　May 24～28, 2015, Shizuoka
  著者;　M.Kasu, R.Murakami, S.Masuya, T.Uematsu, and H.Sumiya
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察;　2015年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会
  著者;　嘉数 誠、村上竜一、桝谷聡士、植松卓也、角谷 均
  
• メガソーラー測定データを用いた太陽電池セル温度の推定;　2015年03月
  発表情報;　電気学会全国大会2015年3月24～26日、東京
  著者;　原 重臣，嘉数 誠，松井 則明
  
• 太陽電池モジュールの半導体素子としての電気的特性解析;　2015年03月
  発表情報;　電気学会全国大会2015年3月24～26日、東京
  著者;　田中裕之，中村圭宏，原重臣，嘉数誠 松井則明
  
• 高移動度-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製;　2015年03月
  発表情報;　応用物理学会春季学術講演会2015年3月11日～14日、平塚、東海大。
  著者;　古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠
  
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察による転位の同定;　2014年12月
  発表情報;　2014年応用物理学会九州支部大会、大分、2014年12月6日〜7日
  著者;　村上 竜一、桝谷　聡士、原田　和也、嘉数　誠、輿　公祥、倉又　朗人、飯塚　和幸
  
• Ni/Auを用いた����–Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作製;　2014年12月
  発表情報;　2014年応用物理学会九州支部大会、大分、2014年12月6日〜7日
  著者;　古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠
  
• ソーラーパネルのホットスポット観察と電流電圧特性;　2014年12月
  発表情報;　2014年応用物理学会九州支部大会、大分、2014年12月6日〜7日
  著者;　田中　裕之、中村　圭宏、原　重臣、嘉数　誠、松井　則明
  
• Diamond MOS Interface Properties Studied by XPS/UPS/XANES and C-V Measurements;　2014年11月
  発表情報;　The 7th International Symposium on Surface Science, Matsue, November 2 - 6, 2014
  著者;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, M. Imamura, K. Takahashi, K. Shiraishi
  
• シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の種類の同定;　2014年11月
  発表情報;　2014年結晶成長学会国内会議、東京、11月6-8日
  著者;　嘉数　誠，村上竜一、桝谷聡士、原田和也、角谷　均
  
• Device Operation Analysis of Diamond MOSFET Obtained by Capacitance–Voltage Characteristics;　2014年09月
  発表情報;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014
  著者;　K. Harada, K. K. Hirama, T. Oishi, M. Kasu
  
• Dislocation Identification of HPHT Diamond Single Crystal Using Synchrotron Light • X-ray Topography Observation;　2014年09月
  発表情報;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014
  著者;　M. Kasu, R. Murakami, S. Masuya, A. Matsunaga, K. Harada, and H. Sumiya
  
• Synchrotron X-ray Topography Observation of CVD Diamond Single Crystal;　2014年09月
  発表情報;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014
  著者;　S. Masuya, R. Murakami, K. Harada, H. Sumiya , M. Kasu
  
• シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定;　2014年09月
  発表情報;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日
  著者;　嘉数 誠、村上竜一、桝谷聡士、原田和也、角谷 均
  
• (-201)及びB 面β-Ga2O3 単結晶のシンクロトロン単色X 線トポグラフィー観察;　2014年09月
  発表情報;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日
  著者;　桝谷聡士, 村上竜一, 輿　公祥 倉又　朗人、飯塚　和幸, 嘉数　誠
  
• ダイヤモンドMOSFETのゲート容量の周波数依存性;　2014年09月
  発表情報;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日
  著者;　原田和也、平間一行 、大石敏之、嘉数　誠
  
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014年03月
  発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会
  著者;　桝谷聡士、村上竜一、輿　公祥、倉又朗人、飯塚和幸 、嘉数　誠
  
• ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析;　2014年03月
  発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日
  著者;　原田 和也, 平間 一行, 嘉数 誠
  
• β-Ga2O3単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析;　2014年03月
  発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日
  著者;　原田 和也、松永 晃和、輿 公祥、倉又 朗人、嘉数 誠
  
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014年03月
  発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日
  著者;　桝谷聡士、村上竜一、輿　公祥、倉又朗人、飯塚和幸 、嘉数　誠
  
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察;　2014年03月
  発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日
  著者;　桝谷聡士、村上竜一、角谷　均、嘉数　誠
  
• NO2曝露・水素終端ダイヤモンド／Al2O3ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定;　2014年03月
  発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日
  著者;　嘉数 誠、高橋和敏、今村真幸、平間一行
  
• シンクロトロン光・X線トポグラフィー観察を用いた高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の同定;　2014年03月
  発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日
  著者;　村上竜一、桝谷聡士、松永晃和、原田和也、角谷 均、嘉数 誠
  
• 高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製;　2014年
  発表情報;　高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製
  著者;　古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠
  
• NO2吸着・水素終端ダイヤモンド／ALD成長Al2O3界面の放射光XPS/UPSによる電子状態評価;　2013年11月
  発表情報;　表面科学会学術講演会
  著者;　嘉数 誠，高橋 和敏，今村 真幸，平間 一行
  
• β-Ga2O3のホール効果測定による電子濃度と移動度の解析;　2013年11月
  発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会
  著者;　原田和也、松永晃和、嘉数誠、飯塚和幸、輿公祥、倉又朗人
  
• 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察;　2013年11月
  発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会
  著者;　村上 竜一、桝谷　聡士、原田　和也、松永　晃和、嘉数　誠、角谷　均
  
• CVD成長ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察;　2013年11月
  発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会
  著者;　桝谷　聡士、村上　竜一、原田　和也、松永　晃和、嘉数誠、角谷均
  
• SiC-MOSFETのスイッチング特性解析―SiCパワーMOSFETとの比較―;　2013年11月
  発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会
  著者;　田中 裕之、原田 和也、嘉数 誠
  
• マイクロ波プラズマCVD成長ダイヤモンドを用いたパワー高周波FET;　2013年10月
  発表情報;　電気学会プラズマ研究会
  著者;　嘉数誠
  
• ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィ評価、マイクロ波プラズマCVD成長と高圧高温合成の比較;　2013年10月
  発表情報;　電気学会プラズマ研究会
  著者;　村上竜一、嘉数誠、桝谷聡士、原田和也、角谷均
  
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶の放射光X線トポグラフィ観察;　2013年07月
  発表情報;　九州シンクロトロン光研究センター・産業総合研究所合同シンポジウム
  著者;　村上竜一、 嘉数 誠
  
• 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察;　2013年03月
  発表情報;　2013年春季応用物理学会
  著者;　村上竜一、 角谷均、 嘉数 誠
  
• β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー評価;　2012年11月
  発表情報;　結晶成長国内会議
  著者;　松永晃和, 村上竜一, 西村健吾, 飯塚和幸, 倉又朗人, 増井建和, 嘉数 誠
  
• Thermal Stabilization of H-Terminated Diamond Surface by Using Al2O3 Overlayer and its Stable and Improved Field-Effect Transistors;　2012年09月
  発表情報;　2012 International Conference on Diamond and Related Carbon Materials
  著者;　M. Kasu, K. Hirama, H. Sato, and Y. Harada
  
• Critical hole concentration for H-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by high-concentrated NO2 exposure;　2012年09月
  発表情報;　2012 International Conference on Diamond and Related Carbon Materials
  著者;　Hisashi Sato and Makoto Kasu
  
• 高濃度NO2ガスを用いた様々な面方位をもつ水素終端ダイヤモンド表面へのホールドーピング;　2012年09月
  発表情報;　2012年秋季応用物理学会
  著者;　嘉数　誠、佐藤寿志
  
• NO2吸着とAl2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFETのドレイン電流の増大;　2012年09月
  発表情報;　2012年秋季応用物理学会
  著者;　平間 一行, 佐藤 寿志, 原田 裕一, 山本 秀樹, 嘉数 誠
  
• 水素終端ダイヤモンド表面の正孔生成機構：吸着分子の特定と第一原理計算結果;　2012年06月
  発表情報;　2012年九州真空表面研究会
  著者;　嘉数　誠, 佐藤寿志, 高木祥光, 白石賢二
  
• Inorganic Molecular Hole Doping on H-terminated Diamond Surface; Critical Hole Concentration for Various Orientations and the First-Principle Calculations;　2012年05月
  発表情報;　New Diamond and Nano Carbons Conference 2012
  著者;　嘉数誠、佐藤、高木、白石
  
• Al2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFET;　2012年03月
  発表情報;　2012年春季応用物理学会
  著者;　平間 一行, 佐藤寿志, 嘉数　誠
  
• NO2吸着水素終端ダイヤモンド表面の熱的安定化と高温域の電気的特性;　2012年03月
  発表情報;　2012年春季応用物理学会
  著者;　嘉数　誠、　佐藤寿志
  
• 単結晶ダイヤモンドにおエピタキシャル成長したAlGaN/GaN　HEMTの高周波高出力動作;　2011年12月
  発表情報;　25回ダイヤモンドシンポジウム
  著者;　平間 一行，谷保，嘉数　誠
  
• 高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善;　2011年12月
  発表情報;　第25回ダイヤモンドシンポジウム
  著者;　嘉数　誠、佐藤寿志、平間 一行
  
• Critical Hole Concentration of H-terminated Diamond and Hole Generation Model during NO2 and O3 adsorption;　2011年12月
  発表情報;　International Symposium on Surface Science (ISSS-6)
  著者;　Hisashi Sato, Makoto Kasu, Kazuyuki Hirama,
  

その他講演

• Continuous operation (14 h) and stress tests for H-diamond field-effect transistors;　2017年05月
  発表情報;　11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017)
  著者;　M. Kasu, K. Funaki, Y. Ishimatsu, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi
  
• 2017年05月
  発表情報;　11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017)
  著者;　S. Masuya, M. Kasu
  
• 究極のパワー半導体ダイヤモンド;　2012年10月
  発表情報;　宮崎北高校ジョイントセミナー
  著者;　嘉数　誠
  

招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）

• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－;　2023年03月
  発表情報;　
  著者;　嘉数　誠
  
• Present status of Diamond Semiconductors;　2023年03月
  発表情報;　次世代グリーンパワー技術における最先端研究
  著者;　Makoto Kasu
  
• 未来型ダイヤモンド半導体の実用化に向けて―佐大から宇宙へ―;　2023年03月
  発表情報;　TSUNAGIシンポジウム（招待）、佐賀、2023年3月18日
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－;　2023年03月
  発表情報;　日本学術会議（招待）、佐賀、2023年3月14日
  著者;　嘉数　誠
  
• パワー半導体に向けたダイヤモンドFETとインチ径ダイヤウェハの最近の進展;　2023年03月
  発表情報;　電子通信情報学会総合大会（招待）CI-4-4、さいたま、2023年3月9日
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化;　2023年01月
  発表情報;　技術情報協会（招待）、東京、2023年1月16日
  著者;　嘉数　誠
  
• Recent progress of NO2 p-type doped diamond MOSFET and heteroepitaxial diamond wafer technologies;　2022年11月
  発表情報;　The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022
  著者;　Makoto Kasu, Seong-Woo Kim
  
• Defects responsible for leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2022年11月
  発表情報;　The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022
  著者;　Makoto Kasu, Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, and Akito Kuramata
  
• Diamond Semiconductor; Inch‐Wafer Growth and Power FET Technologies;　2022年09月
  発表情報;　The 54th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022) Short Course (Invited), Makuhari, Sep 26, 2022
  著者;　Makoto Kasu
  
• ダイヤモンドパワー半導体デバイス;　2022年09月
  発表情報;　菱実会　(招待)
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課;　2022年09月
  発表情報;　技術情報協会　(招待) 2022年9月15日
  著者;　嘉数　誠
  
• Two-inch diamond wafer with high FOM for use in MOSFET;　2022年08月
  発表情報;　14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022), (Invited) Aug 29- Sep 1, 2022
  著者;　Makoto Kasu, Seoeng-Woo Kim
  
• 究極のパワー半導体『ダイヤモンド』;　2022年08月
  発表情報;　佐賀県高校科学部研修会（招待）、佐賀
  著者;　嘉数　誠
  
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題;　2022年07月
  発表情報;　化学工学会CVD反応分科会
  著者;　嘉数　誠
  
• 2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題;　2022年06月
  発表情報;　CVDシンポジウム（招待）、佐賀、2022年6月24日
  著者;　嘉数　誠
  
• 究極の半導体 ダイヤモンドの大口径ウェハとパワーデバイスの最近の進展;　2022年03月
  発表情報;　令和3年度ナノ・マイクロ技術支援講座（ナノ茶論）
  著者;　嘉数　誠
  
• ステップフローを用いたダイヤモンド2インチ径ヘテロウェハ成長と選択ドーピングしたダイヤモンドFETの開発;　2022年01月
  発表情報;　独立行政法人　日本学術振興会　第R032委員会　第5回研究会
  著者;　嘉数 誠、金 聖祐
  
• ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製;　2021年12月
  発表情報;　ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製
  著者;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• HVPE成長-Ga2O3 SBDのキラー欠陥のエミッション顕微鏡とシンクロトロン X 線トポグラフィーによる観察;　2021年12月
  発表情報;　日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第 145 委員会 第 173 回研究会
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンド半導体の最近の進展大口径ヘテロエピタキシャル成長とパワー半導体デバイスの開発;　2021年11月
  発表情報;　「2021 Nano Scientific Symposium Japan」 「ナノ科学シンポジウム 2021」
  著者;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• マイクロ波帯ハイパワーアンプ応用を目指したダイヤモンドトランジスタの研究;　2021年11月
  発表情報;　2021 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2021)
  著者;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展;　2021年11月
  発表情報;　2021 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2021)
  著者;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展;　2021年10月
  発表情報;　日本機械学会熱工学コンファレンス 2021
  著者;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展;　2021年10月
  発表情報;　耐放射線デバイス研究会
  著者;　嘉数　誠、金　聖祐
  
• ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展;　2021年01月
  発表情報;　ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展
  著者;　嘉数 誠
  
• 放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察;　2020年12月
  発表情報;　放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察
  著者;　嘉数 誠
  
• Diamond Semiconductor Technologies towards RF Power Applications;　2019年11月
  発表情報;　4th International Carbon Materials Conference and Exhibition, Shanghai, Nov. 26-29, 2019.
  著者;　Makoto Kasu
  
• β-Ga2O3単結晶中の欠陥と電気的特性の相関;　2019年05月
  発表情報;　日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会、第113回究会、大阪、2019年5月10日
  著者;　嘉数 誠
  
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係;　2019年05月
  発表情報;　日本学術振興会162委員会第113回研究会
  著者;　嘉数　誠
  
• β-Ga2O3結晶中の欠陥とデバイス特性との関係;　2019年04月
  発表情報;　信州大学グリーンマテリアル研究所シンポジウム
  著者;　嘉数　誠
  
• エレクトロニクス材料としてのダイヤモンド：エネルギー問題の解決を目指して;　2018年11月
  発表情報;　大阪市立大学セミナー
  著者;　
  
• Recent progress of diamond field-effect transistor technologies;　2018年11月
  発表情報;　
  著者;　Makoto Kasu
  
• Diamond field-effect transistors for RF power applications;　2018年10月
  発表情報;　4th E-MRS & MRS-J BILATERAL SYMPOSIUM, Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors
  著者;　Makoto Kasu
  
• β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係;　2018年10月
  発表情報;　日本学術振興会145委員会第160回研究会、2018年10月19日、東京
  著者;　嘉数　誠
  
• Recent Progress of Diamond Devices for RF Applications;　2016年10月
  発表情報;　2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium
  著者;　Makoto Kasu, Toshiyuki Oishi
  
• Diamond Devices for RF Applications;　2016年08月
  発表情報;　2016 URSI Asia-Pacific Radio Science Conference
  著者;　Makoto Kasu, Toshiyuki Oishi
  
• Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping;　2016年03月
  発表情報;　8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya
  著者;　Makoto Kasu
  
• ダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展;　2015年12月
  発表情報;　表面科学会学術講演会、2015年12月1～3日、つくば
  著者;　嘉数 誠
  
• Ultimate Wide-Gap Semiconductors:Diamond Power Devices and Aluminum Nitride Deep-Ultraviolet LEDs;　2015年09月
  発表情報;　Semicon Nano 2015, Hsinchu, Taiwan, Sep. 6-11,2015.
  著者;　Makoto Kasu
  
• Diamond Transistors –Present Status and Future Prospects;　2015年06月
  発表情報;　Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2015
  著者;　Makoto Kasu
  
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014年11月
  発表情報;　2014 MRS Fall Meeting, Nov. 30 – Dec. 5, 2014.Boston
  著者;　M. Kasu
  
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014年10月
  発表情報;　9th European Microwave Integrated Circuits Conference (EUMIC 2014), Oct 6-7, 2014, Rome.
  著者;　M. Kasu, T. Oishi
  
• パワー半導体ダイヤモンド単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014年10月
  発表情報;　九州シンクトロン光研究センターＸ線トポグラフィー講習会、鳥栖、10月24日,　2014年
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワートランジスタ研究開発の最近の進展;　2014年09月
  発表情報;　日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第１５８委員会 第１０４回研究会, 京都、2014年9月24日
  著者;　嘉数　誠
  
• Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014年08月
  発表情報;　15th IUMRS International Conference in Asia (IUMRS-ICA), Fukuoka, Aug. 24-30 , 2014.
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワーデバイス研究の現状;　2014年05月
  発表情報;　ワイドバンドギャップ半導体デバイスに関わる超精密加工プロセス研究分科会
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドパワー素子技術;　2014年05月
  発表情報;　第８回集積化MEMS技術研究会「次世代半導体技術」
  著者;　嘉数　誠
  
• ダイヤモンドへのイオン注入　パワーデバイスを目指して;　2013年12月
  発表情報;　応用物理学会表面薄膜分科会研究会イオンビームによる界面表面解析特別研究会
  著者;　嘉数　誠
  
• 極限遠紫外線LED研究開発;　2013年02月
  発表情報;　九州産業技術センターセミナー
  著者;　嘉数誠
  
• ワイドギャップ半導体の創製と光電子デバイスへの応用;　2012年12月
  発表情報;　応用物理学会九州支部大会
  著者;　嘉数　誠
  
• 半導体気相成長での過飽和度とステップフロー・核形成;　2012年09月
  発表情報;　結晶成長学会自由討論会
  著者;　嘉数誠
  
• ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発の現状;　2012年08月
  発表情報;　九州産業技術センターセミナー
  著者;　嘉数　誠
  
• Single-crystalline nitride growth on diamond;　2012年05月
  発表情報;　New Diamond and Nano Carbons Conference 2012
  著者;　K. Hirama, M. Kasu,
  
• 「ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」;　2012年05月
  発表情報;　日本技術情報センター「早期実用化を目指す次世代パワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」セミナー
  著者;　嘉数誠
  
• 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」;　2012年03月
  発表情報;　2012年春季応用物理学会、シンポジウム
  著者;　平間 一行, 谷保芳考, 嘉数　誠
  
• 気相成長表面における結晶成長機構;　2012年01月
  発表情報;　結晶成長研究会
  著者;　嘉数誠
  
• ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用;　2011年10月
  発表情報;　SCOPE成果発表会
  著者;　嘉数誠
  
• Diamond-based Electronic Device Technologies;　2011年10月
  発表情報;　
  著者;　嘉数誠、平間一行