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Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2015年11月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y. Koga, K. Harada, K. Hanada, T. Oishi, and M. Kasu
題名：
Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals
発表情報：
International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y. Koga, K. Harada, K. Hanada, T. Oishi, and M. Kasu
Title：
Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals
Announcement information:
International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto

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