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Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2015年11月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Y. Koga, K. Harada, K. Hanada, T. Oishi, and M. Kasu
題名:
Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals
発表情報:
International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Y. Koga, K. Harada, K. Hanada, T. Oishi, and M. Kasu
Title:
Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals
Announcement information:
International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto


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