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345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2021年04月
DOI：
DOI: 10.1109/LED.2021.3075687
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu 読み: Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu
題名：
345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond
発表情報：
IEEE Electron Device Letters 巻: 42 ページ: 903-906
キーワード：
概要：
345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond
抄録：
345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto Kasu
Title：
345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond
Announcement information:
IEEE Electron Device Letters Vol: 42 Page: 903-906
An abstract：
345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond
An abstract：
345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond

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