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875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年12月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu 読み: N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu
題名：
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET
発表情報：
IEEE Electron Device Letters 巻: 43 号: 5 ページ: 777
キーワード：
概要：
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET
抄録：
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET

英語フィールド

Author：
N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu
Title：
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET
Announcement information:
IEEE Electron Device Letters Vol: 43 Issue: 5 Page: 777
An abstract：
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET
An abstract：
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET

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