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1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2023年09月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi, 読み: Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi,
題名：
1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio
発表情報：
IEEE Electron Dev. Lett. 巻: 44 ページ: 293
キーワード：
概要：
1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio
抄録：
1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi,
Title：
1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio
Announcement information:
IEEE Electron Dev. Lett. Vol: 44 Page: 293
An abstract：
1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio
An abstract：
1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio

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