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NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2019年03月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠 読み: ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠
題名：
NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作
発表情報：
2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
キーワード：
ダイヤモンド素子
概要：
ダイヤモンド素子を作製した。
抄録：
ダイヤモンド素子を作製した。

英語フィールド

Author：
ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠
Title：
NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作
Announcement information:
2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日
Keyword：
diamond devices
An abstract：
diamond devices
An abstract：
diamond devices

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