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NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2017年09月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
有り
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日本語フィールド
著者：
舟木浩祐、石松裕真、桝谷聡士、宮崎恭輔、大島孝仁、嘉数 誠、大石敏之
題名：
NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討
発表情報：
応用物理学会秋季学術講演会
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
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