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The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2018年11月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N. C. Saha, K. Takahashi, S. Masuya, M. Imamura, M. Kasu
題名：
The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements
発表情報：
Materials Research Society 2018 Fall Meeting
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
N. C. Saha, K. Takahashi, S. Masuya, M. Imamura, M. Kasu
Title：
The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements
Announcement information:
Materials Research Society 2018 Fall Meeting

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