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Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
題名：
Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
発表情報：
J. Crystal Growth 巻: 311 ページ: 3000-3002
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
Title：
Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
Announcement information:
J. Crystal Growth Vol: 311 Page: 3000-3002

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