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Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2009年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
題名:
Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
発表情報:
J. Crystal Growth 巻: 311 ページ: 3000-3002
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
Title:
Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
Announcement information:
J. Crystal Growth Vol: 311 Page: 3000-3002


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