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3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年12月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu 読み: Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
題名：
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs
発表情報：
IEEE Electron Dev. Lett. 巻: 43 ページ: 1303
キーワード：
概要：
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs
抄録：
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu
Title：
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs
Announcement information:
IEEE Electron Dev. Lett. Vol: 43 Page: 1303
An abstract：
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs
An abstract：
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs

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