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Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2016年04月

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

T. Oishi, K. Harada, Y. Koga, and M. Kasu

題名：

Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes

発表情報：

Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 3 ページ: 030305

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

T. Oishi, K. Harada, Y. Koga, and M. Kasu

Title：

Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes

Announcement information:

Japanese Journal of Applied Physics Vol: 55 Issue: 3 Page: 030305