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Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect –

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2017年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N. C. Saha, M. Kasu
題名：
Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect –
発表情報：
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
N. C. Saha, M. Kasu
Title：
Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect –
Announcement information:
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)

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