MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2021年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi, 読み: M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi,
題名：
Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer
発表情報：
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021
キーワード：
概要：
Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer
抄録：
Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer

英語フィールド

Author：
M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi,
Title：
Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer
Announcement information:
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021
An abstract：
Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer
An abstract：
Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.