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Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond

著者：

Kenji Ueda, Yoshiharu Yamauchi and Makoto Kasu

題名：

発表情報：

Physica Status Solidi (c) 巻: 5 号: 9 ページ: 3175-3177

キーワード：

概要：

抄録：

Author：

Kenji Ueda, Yoshiharu Yamauchi and Makoto Kasu

Title：

Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond

Announcement information:

Physica Status Solidi (c) Vol: 5 Issue: 9 Page: 3175-3177