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Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2008年07月
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Kenji Ueda, Yoshiharu Yamauchi and Makoto Kasu
題名:
Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond
発表情報:
Physica Status Solidi (c) 巻: 5 号: 9 ページ: 3175-3177
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Kenji Ueda, Yoshiharu Yamauchi and Makoto Kasu
Title:
Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond
Announcement information:
Physica Status Solidi (c) Vol: 5 Issue: 9 Page: 3175-3177


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