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Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer

著者：

Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, and Seong-Woo Kim

題名：

発表情報：

Appl. Phys. Express 14, 051004 (2021). 巻: 14 ページ: 051004

キーワード：

概要：

抄録：

Author：

Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, and Seong-Woo Kim

Title：

Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer

Announcement information:

Appl. Phys. Express 14, 051004 (2021). Vol: 14 Page: 051004