MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2023年06月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, M. Kasu 読み: Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, M. Kasu
題名：
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
発表情報：
IEEE Electron Device Letters 巻: 44 ページ: 975
キーワード：
概要：
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
抄録：
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, M. Kasu
Title：
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
Announcement information:
IEEE Electron Device Letters Vol: 44 Page: 975
An abstract：
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
An abstract：
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.