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3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年09月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠 読み: ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
題名：
3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET
発表情報：
秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
キーワード：
概要：
3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET
抄録：
3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET

英語フィールド

Author：
ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠
Title：
3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET
Announcement information:
秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日
An abstract：
3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET
An abstract：
3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET

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