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AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2023年10月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, M. Kas 読み: Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, M. Kas
題名：
AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
発表情報：
IEEE Electron Device Letters 巻: 44 ページ: 1704
キーワード：
概要：
AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
抄録：
AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, M. Kas
Title：
AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
Announcement information:
IEEE Electron Device Letters Vol: 44 Page: 1704
An abstract：
AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
An abstract：
AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

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