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Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2006年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
題名：
Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density
発表情報：
Applied Physics Letters 巻: 89 ページ: 182112
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
Title：
Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density
Announcement information:
Applied Physics Letters Vol: 89 Page: 182112

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