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DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2018年09月
DOI:
会議属性:
国内会議
査読:
無し
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
大石敏之、鴨川拓弥、嘉数 誠
題名:
DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析
発表情報:
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
大石敏之、鴨川拓弥、嘉数 誠
Title:
DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析
Announcement information:
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会


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