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DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2018年09月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
大石敏之、鴨川拓弥、嘉数 誠
題名：
DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析
発表情報：
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
Author：
大石敏之、鴨川拓弥、嘉数 誠
Title：
DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析
Announcement information:
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
