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Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2017年04月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
題名：
Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 ページ: 091101
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
Title：
Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 56 Page: 091101

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