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Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2019年04月
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, O. Ueda, and M. Kasu,
題名:
Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography
発表情報:
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: 05 ページ: 055501
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, O. Ueda, and M. Kasu,
Title:
Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 58 Issue: 05 Page: 055501


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