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Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2019年04月

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, O. Ueda, and M. Kasu,

題名：

Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography

発表情報：

Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 号: 05 ページ: 055501

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, O. Ueda, and M. Kasu,

Title：

Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography

Announcement information:

Japanese Journal of Applied Physics Vol: 58 Issue: 05 Page: 055501