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Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2005年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
T. Makimoto, Y. Yamauchi, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto,
題名:
Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates
発表情報:
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 44 ページ: 2722-2725
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
T. Makimoto, Y. Yamauchi, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto,
Title:
Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 44 Page: 2722-2725


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