MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2005年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T. Makimoto, Y. Yamauchi, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto,
題名：
Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 44 ページ: 2722-2725
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Makimoto, Y. Yamauchi, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto,
Title：
Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 44 Page: 2722-2725

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.