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Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2023年03月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu 読み: Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
題名：
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs
発表情報：
IEEE Electron Device Letters 巻: 44 ページ: 793
キーワード：
概要：
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs
抄録：
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
Title：
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs
Announcement information:
IEEE Electron Device Letters Vol: 44 Page: 793
An abstract：
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs
An abstract：
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs

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