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Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2019年08月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, and A. Kuramata 読み: M. Kasu, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, and A. Kuramata
題名：
Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
発表情報：
2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio. August 12-15th 2019
キーワード：
酸化ガリウム
概要：
酸化ガリウム素子を調査した。
抄録：
酸化ガリウム素子を調査した。

英語フィールド

Author：
M. Kasu, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, and A. Kuramata
Title：
Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
Announcement information:
2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio. August 12-15th 2019
Keyword：
gallium oxide
An abstract：
gallium oxide devices
An abstract：
gallium oxide devices

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