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RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds,

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2019年09月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Kasu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim 読み: M. Kasu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
題名:
RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds,
発表情報:
30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019.
キーワード:
diamond
概要:
ダイヤモンド素子を作製した。
抄録:
ダイヤモンド素子を作製した。

英語フィールド

Author:
M. Kasu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
Title:
RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds,
Announcement information:
30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019.
Keyword:
ダイヤモンド
An abstract:
diamind devices
An abstract:
diamind devices


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