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Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2016年08月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
題名：
Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 ページ: 1202B7
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
Title：
Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 55 Page: 1202B7

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