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High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2007年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K. Ueda, M. Kasu, and T. Makimoto
題名：
High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond
発表情報：
Applied Physics Letters 巻: 90 ページ: 122102
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K. Ueda, M. Kasu, and T. Makimoto
Title：
High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond
Announcement information:
Applied Physics Letters Vol: 90 Page: 122102

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