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Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2018年09月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
梁 剣波、桝谷聡士、藤居大樹、金 聖祐、嘉数 誠、重川直輝
題名：
Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製
発表情報：
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
Author：
梁 剣波、桝谷聡士、藤居大樹、金 聖祐、嘉数 誠、重川直輝
Title：
Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製
Announcement information:
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
