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Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2018年09月
DOI:
会議属性:
国内会議
査読:
無し
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
梁 剣波、桝谷聡士、藤居大樹、金 聖祐、嘉数 誠、重川直輝
題名:
Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製
発表情報:
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
梁 剣波、桝谷聡士、藤居大樹、金 聖祐、嘉数 誠、重川直輝
Title:
Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製
Announcement information:
2018年応⽤物理学会秋季学術講演会


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