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高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2011年12月
DOI：
会議属性：
国内会議
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日本語フィールド
著者：
嘉数 誠、佐藤寿志、平間 一行
題名：
高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善
発表情報：
第25回ダイヤモンドシンポジウム
キーワード：
ダイヤモンド
概要：
高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善
抄録：
高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善
英語フィールド
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