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高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2011年12月
DOI:
会議属性:
国内会議
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
嘉数 誠、佐藤寿志、平間 一行
題名:
高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善
発表情報:
第25回ダイヤモンドシンポジウム
キーワード:
ダイヤモンド
概要:
高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善
抄録:
高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善

英語フィールド

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