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Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1)

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2004年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
題名：
Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1)
発表情報：
Appl. Phys. Lett. 巻: 85 ページ: 4672-4674
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
Title：
Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1)
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. Vol: 85 Page: 4672-4674

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