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High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping

発表形態：: 一般講演（学術講演を含む）
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2022年09月

DOI：
会議属性：: 国際会議（国内開催を含む）
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

N. C. Saha, Irie, Seki, Nakata, Hoshino, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu, 読み: N. C. Saha, Irie, Seki, Nakata, Hoshino, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,

題名：

High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping

発表情報：

32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022

キーワード：

概要：

High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping

抄録：

High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping

英語フィールド

Author：

N. C. Saha, Irie, Seki, Nakata, Hoshino, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,

Title：

High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping

Announcement information:

32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022

An abstract：

High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping

An abstract：

High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping