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Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2019年02月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, and S. Fujita
題名：
Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy
発表情報：
APL. Mater 巻: 7 ページ: 022503
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, and S. Fujita
Title：
Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy
Announcement information:
APL. Mater Vol: 7 Page: 022503

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