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3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2023年01月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu 読み: Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
題名：
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates
発表情報：
IEEE Electron Dev. Lett. 巻: 44 ページ: 112
キーワード：
概要：
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates
抄録：
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates

英語フィールド

Author：
Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu
Title：
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates
Announcement information:
IEEE Electron Dev. Lett. Vol: 44 Page: 112
An abstract：
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates
An abstract：
3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates

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