MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2016年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, K. Hanada, K. Funaki, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi
題名：
Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer
発表情報：
27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu, K. Hanada, K. Funaki, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi
Title：
Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer
Announcement information:
27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.