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Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年05月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Makoto Kasu, Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Niloy Saha Chandra
題名：
Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs
発表情報：
Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, EQ01.16.06, On-line, May 8, 2022
キーワード：
概要：
Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs
抄録：
Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs

英語フィールド

Author：
Makoto Kasu, Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Niloy Saha Chandra
Title：
Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs
Announcement information:
Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, EQ01.16.06, On-line, May 8, 2022
An abstract：
Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs
An abstract：
Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs

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