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High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2008年07月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu and T. Makimoto
題名：
High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
発表情報：
Physica Status Solidi (c) 巻: 5 号: 9 ページ: 2957-2959
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu and T. Makimoto
Title：
High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors
Announcement information:
Physica Status Solidi (c) Vol: 5 Issue: 9 Page: 2957-2959

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