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Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2022年12月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu 読み: Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
題名：
Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
発表情報：
Appl. Phys. Lett. 巻: 120 ページ: 122107
キーワード：
概要：
Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
抄録：
Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

英語フィールド

Author：
Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu
Title：
Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. Vol: 120 Page: 122107
An abstract：
Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
An abstract：
Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

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