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Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2016年03月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Makoto Kasu, Kenji Hanada, Kazuya Harada, Yuta Koga, Kosuke Funaki, and Toshiyuki Oisi,
題名：
Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers
発表情報：
Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Makoto Kasu, Kenji Hanada, Kazuya Harada, Yuta Koga, Kosuke Funaki, and Toshiyuki Oisi,
Title：
Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers
Announcement information:
Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.

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