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High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2010年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
K. Ueda and M. Kasu
題名:
High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors
発表情報:
Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 49 ページ: 04DF16
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
K. Ueda and M. Kasu
Title:
High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys. Vol: 49 Page: 04DF16


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