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High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2010年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K. Ueda and M. Kasu
題名：
High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 49 ページ: 04DF16
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K. Ueda and M. Kasu
Title：
High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys. Vol: 49 Page: 04DF16

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