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Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2012年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K. Hirama, M. Kasu, and Y. Taniyasu,
題名：
Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 ページ: 01AG09- 01AG09
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K. Hirama, M. Kasu, and Y. Taniyasu,
Title：
Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 51 Page: 01AG09- 01AG09

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