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3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates

発表形態：: 一般講演（学術講演を含む）
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2022年11月

DOI：
会議属性：: 国際会議（国内開催を含む）
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu 読み: Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu

題名：

3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates

発表情報：

The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston

キーワード：

概要：

3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates

抄録：

3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates

英語フィールド

Author：

Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu

Title：

3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates

Announcement information:

The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston

An abstract：

3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates

An abstract：

3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates