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Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
単著
発表年月：
2017年01月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Makoto Kasu
題名：
Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 1 ページ: 01AA01
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Makoto Kasu
Title：
Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 56 Issue: 1 Page: 01AA01

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