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Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping

発表形態:
招待講演・特別講演(学会シンポジウム等での講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
単著
発表年月:
2016年03月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
無し
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Makoto Kasu
題名:
Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping
発表情報:
8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Makoto Kasu
Title:
Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping
Announcement information:
8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya


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