MF研究者総覧

教員活動データベース

Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2016年02月
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi
題名:
Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer
発表情報:
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 4 ページ: 041301
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi
Title:
Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 55 Issue: 4 Page: 041301


Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.