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Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2016年02月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi
題名：
Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 4 ページ: 041301
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi
Title：
Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 55 Issue: 4 Page: 041301

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