MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2015年01月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
大石敏之、古賀優太、原田和也、嘉数　誠 読み: オオイシトシユキ、コガユウタ、ハラダカズヤ、カスウマコト
題名：
High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact
発表情報：
Applied Physics Express 巻: 8 号: 3 ページ: 031101
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Oishi, Y. Koga, K. Harada, M. Kasu
Title：
High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact
Announcement information:
Applied Physics Express Vol: 8 Issue: 3 Page: 031101

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.