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窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」
発表形態:
招待講演・特別講演(学会シンポジウム等での講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2012年03月
DOI:
会議属性:
国内会議
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日本語フィールド
著者:
平間 一行, 谷保芳考, 嘉数 誠
題名:
窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」
発表情報:
2012年春季応用物理学会、シンポジウム
キーワード:
窒化物半導体/ダイヤモンド
概要:
窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造に成功した
抄録:
窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造に成功した
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