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Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2017年04月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T. Oshima, A. Hashiguchi, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, T. Oishi, and M. Kasu
題名：
Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 ページ: 086501
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Oshima, A. Hashiguchi, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, T. Oishi, and M. Kasu
Title：
Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 56 Page: 086501

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