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Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2006年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T. Makimoto, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto
題名：
Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 45 ページ: 3395-3397
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Makimoto, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto
Title：
Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 45 Page: 3395-3397

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