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Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2001年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu and N. Kobayashi
題名：
Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38
発表情報：
Appl. Phys. Lett. 巻: 79 ページ: 3642-3644
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu and N. Kobayashi
Title：
Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. Vol: 79 Page: 3642-3644

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